[发明专利]多晶硅检测采样设备

权利要求书

1.一种多晶硅检测采样设备，其特征在于，包括：

支架；

竖直固定于所述支架上的容纳管，用以容纳颗粒硅料，所述容纳管具有上端口；

位于所述容纳管内的籽晶夹头以及一端连接于所述籽晶夹头、并由所述上端口延伸至所述容纳管外的上轴，所述籽晶夹头用以夹持单晶硅籽晶，使单晶硅籽晶位于所述颗粒硅料的上方；

设置于所述容纳管的外侧壁的加热机构，用于对所述单晶硅籽晶进行加热，使单晶硅籽晶的下端面熔融成液滴状，以将与单晶硅籽晶的下端面接触的颗粒硅料吸附至单晶硅籽晶的表面。

2.根据权利要求1所述的多晶硅检测采样设备，其特征在于，所述多晶硅检测采样设备还包括：

与所述加热机构连接的升降机构，用以调节所述加热机构沿所述容纳管的外侧壁移动。

3.根据权利要求1所述的多晶硅检测采样设备，其特征在于，所述加热机构包括：

套设于所述容纳管外侧壁的环形预热件及高频线圈，所述环形预热件用以对所述单晶硅籽晶加热至导电温度，所述高频线圈用以对该单晶硅籽晶进一步加热至单晶硅籽晶的下端面熔融成液滴状。

4.根据权利要求3所述的多晶硅检测采样设备，其特征在于，所述多晶硅采样设备还包括：

与所述高频线圈连接的第一升降单元，用以调节所述高频线圈的高度。

5.根据权利要求4所述的多晶硅检测采样设备，其特征在于，所述第一升降单元包括：

电机：

由所述电机驱动升降的升降杆，用以带动所述高频线圈上下移动。

6.根据权利要求4所述的多晶硅检测采样设备，其特征在于，所述多晶硅采样设备还包括：

与所述预热件连接的第二升降单元，用以调节所述预热件的高度。

7.根据权利要求3所述的多晶硅检测采样设备，其特征在于，所述高频线圈位于所述环形预热件的下侧，所述高频线圈与所述环形预热件的间隔距离为5-8mm。

8.根据权利要求1所述的多晶硅检测采样设备，其特征在于，所述容纳管还具有下端口，多晶硅检测采样设备还包括：

位于所述容纳管内的活塞以及一端连接于所述活塞，并由所述下端口延伸至容纳管外的下轴，所述活塞承载颗粒硅料，并带动所述颗粒硅料在所述容纳管内上下移动。

9.根据权利要求8述的多晶硅检测采样设备，其特征在于，所述多晶硅检测采样设备还包括：

下底座，用以密封所述下端口。

10.根据权利要求1的多晶硅检测采集设备，其特征在于，

上盖，用以密封所述上端口。