[发明专利]用于修复电阻式内存的电控装置、方法、内储程序的计算机程序产品及可读取记录媒体

说明书

本发明公开一种电阻式存储器，用于解决现有存储器的可靠度不佳问题，该电阻式存储器包括：两个电极，相互分离；一个围阻体，设有一个通道；及一个含氧变阻层，阻绝该围阻体的通道，该两个电极及该围阻体共同包夹该含氧变阻层，构成该两个电极及该围阻体的元素均不含氧。借此，可确实解决上述问题。

技术领域

本发明关于一种用于电阻式内存的电控装置、方法、内储程序的计算机程序产品及可读取记录媒体；特别是关于一种用于修复电阻式内存的电控装置、方法、内储程序的计算机程序产品及可读取记录媒体。

背景技术

电阻式内存(RRAM)具有操作电压低、读写速度快及组件微缩性高等优点，其构造如M/I/M及M/I/M/I/M(互补式)等形态，有机会取代传统的闪存(Flash Memory)以及动态随机存取内存(DRAM)，成为下个时代的内存组件主流。

请参阅图1所示，现有电阻式内存9可具有两个电极91及一个变阻构件92，该变阻构件92可为单一材料构成或多种材料层组成的结构，该变阻构件92结合于该两个电极91之间，其中一个电极91可用于接地，另一个不用于接地的电极91可电性连接一个电压源V，用以提供不同电位值的电压(如图2所示)，供该电阻式内存9进行至少一个操作过程，如：设置程序P1(Set process)及重置程序P2(Reset process)，使该变阻构件92产生氧化/还原反应，而切换为低阻态(LRS)或高阻态(HRS)，用以储存数据的两种逻辑状态(如：0或1)。

请参阅图3所示，现有电阻式内存随着操作次数增加，该变阻构件92中的氧离子会逐渐逸散，导致高/低阻态的电阻值渐趋接近，如：该电阻式内存在操作一定次数(约1×10⁸次)后，即因高/低阻态差距过小，而无法继续操作且需更换组件。故，现有电阻式内存的使用寿命有待改善，除会增加数据储存成本，且可靠度不佳。

有鉴于此，上述现有技术在实际使用时确有不便之处，亟需进一步改良，以提升其实用性。

发明内容

本发明提供一种用于修复电阻式内存的电控装置，可提高电阻式内存的可靠度。

本发明另外提供一种用于修复电阻式内存的方法，可提高电阻式内存的可靠度。

本发明另外提供一种内储程序的计算机程序产品，可供具有电控功能的计算机加载程序并执行，以提高电阻式内存的可靠度。

本发明另外提供一种内储程序的计算机可读取记录媒体，可供具有电控功能的计算机加载程序并执行，以提高电阻式内存的可靠度。

本发明公开一种用于修复电阻式内存的电控装置，用以输出至少一个操作讯号及一个回复讯号至该电阻式内存不用于接地的一个电极，该电控装置可包括相互耦接的一个运算模块及一个发讯模块，该运算模块依据一个操作指令控制该发讯模块产生该操作讯号，使该操作讯号于一个操作时间内由一个零电位转为一个非零电位，再由该非零电位转为该零电位，该运算模块判断该操作讯号是否由该非零电位转至该零电位，若判断为是，该运算模块依据一个回复指令控制该发讯模块产生该回复讯号，使该回复讯号由该零电位降至一个负电位，维持一个回复时间，再由该负电位升至该零电位，若判断为否，该运算模块监视该操作讯号的电位。

本发明另外公开一种用于修复电阻式内存的方法，可供用于修复该电阻式内存的一个电控装置执行，该电控装置用于电性连接该电阻式内存不用于接地的一个电极，使该电极接收该电控装置产生的一个操作讯号及一个回复讯号，该操作讯号于一个操作时间内由一个零电位转为一个非零电位，再由该非零电位转为该零电位，该方法包括：若该操作讯号由该非零电位转至该零电位，依据一个回复指令使该回复讯号由该零电位降至一个负电位，维持一个回复时间，再由该负电位升至该零电位。

本发明另外公开一种内储程序的计算机程序产品，当计算机加载该计算机程序并执行后，可完成上述的方法。