[发明专利]动态随机存取存储器控制器及其控制方法

说明书

动态随机存取存储器控制器及其控制方法。动态随机存取存储器的再充电(refresh)调度。一指令队列使要发送至一动态随机存取存储器的操作指令在其中排队。一微控制器视该指令队列的内容，在一监控时间单位内交错设立多个第一阶层单堆再充电时间点以及多个第二阶层单堆再充电时间点。

技术领域

本申请涉及动态随机存取存储器(DRAM)的再充电(refresh)调度。

背景技术

动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进位位(bit)是1还是0。由于电容会有漏电的现象，因此动态随机存取存储器(DRAM)有再充电(refresh)需求，以维护所存储的数据可靠度。

发明内容

本申请有关于动态随机存取存储器的再充电(refresh，或称为刷新)调度。

根据本申请一种实施方式实现的一种动态随机存取存储器控制器包括一指令队列(command queue)以及一微控制器。该指令队列使要发送至一动态随机存取存储器的操作指令在其中排队。该微控制器视该指令队列的内容，在一监控时间单位内多个第一阶层单堆再充电时间点对该动态随机存取存储器的一第一阶层(rank)的多个存储单元堆逐堆进行再充电(per-bank refreshing)。该微控制器更视该指令队列的内容，在该监控时间单位内多个第二阶层单堆再充电时间点对该动态随机存取存储器的一第二阶层的多个存储单元堆逐堆进行再充电。该等第二阶层单堆再充电时间点与该等第一阶层单堆再充电时间点一对一交错。如此设计使得动态随机存取存储器控制器的运算资源得以不过度集中在再充电上。

本申请概念更可实现为动态随机存取存储器控制方法，包括以下步骤：提供一指令队列，使要发送至一动态随机存取存储器的操作指令在其中排队；视该指令队列的内容，在一监控时间单位内多个第一阶层单堆再充电时间点对该动态随机存取存储器的一第一阶层的多个存储单元堆逐堆进行再充电；以及视该指令队列的内容，在该监控时间单位内多个第二阶层单堆再充电时间点对该动态随机存取存储器的一第二阶层的多个存储单元堆逐堆进行再充电。该等第二阶层单堆再充电时间点与该等第一阶层单堆再充电时间点一对一交错。

本申请所公开的前述动态随机存取存储器控制器以及控制方法为多个阶层提供阶层交错的逐堆再充电，使得系统资源不会长时间被再充电需求独占。动态随机存取存储器的操作指令因而得以顺畅执行。

下文特举实施例，并配合所附图示，详细说明本发明内容。

附图说明

图1为方块图，根据本申请一种实施方式图解一动态随机存取存储器100以及相关的动态随机存取存储器控制器102；

图2为时序图，根据本申请一种实施方式划分一个监控时间单位tREFI；

图3A、3B为流程图，图解微控制器106所实施的阶层rank1的再充电指令调度，每监控时间单位tREFI实施一次；以及

图4A、4B为流程图，图解微控制器106所实施的阶层rank1存取指令调度。

【符号说明】

100～动态随机存取存储器；

102～动态随机存取存储器控制器；

104～指令队列； 106～微控制器；

108～芯片组；

bank11…bank18、bank21…bank28～存储器单元堆；

rank1、rank2～阶层(存储空间)；

t11…t18、t21…t28～第一、第二阶层单堆再充电时间点；