[发明专利]一种图像模板优化提速方法有效
申请号: | 201710082970.4 | 申请日: | 2017-02-16 |
公开(公告)号: | CN106876535B | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 崔杰;彭友;陈龙;丁磊 | 申请(专利权)人: | 安徽芯瑞达科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/20 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 230000 安徽省合肥市经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图像 模板 优化 提速 方法 | ||
本发明提供了一种图像模板优化提速方法,其包括以下步骤:选取大族隐形切割机台,建立2种芯片参数档,2种参数档的区别为第二面图像模板不同;参数档A为4电极2切割道模板,按原建立模板方法建立第二面图像模板;参数档B为2电极1切割道模板,按新模板建立方法,建立第二面图像模板;划片作业时,划片机台作业完芯片第一面,旋转至第二面,采用2电极1切割道模板法,快速准确的定位第二面图像,有效的缩短了划片作业时间。本发明采用激光切割机台2电极1切割道模板法,减少了模板匹配时间,增加匹配成功率。
技术领域
本发明涉及到LED芯片技术领域,特别是一种图像模板优化提速方法。
背景技术
LED芯片的制造工艺流程:外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试→分选→外观测试→打标入库。
外延片的生产制作过程是非常复杂的,在展完外延片后,下一步就开始对LED外延片做电极(P极,N极),接着就开始用激光机切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用钻石刀),制造成芯片后。
1、主要对电压、波长、亮度进行测试,能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作,如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片,就放在一边另外处理。
2、晶圆切割成芯片后,100%的目检(VI/VC),操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。
3、接着使用全自动分类机根据不同的电压,波长,亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。
4、最后对LED芯片进行检查(VC)和贴标签。芯片区域要在蓝膜的中心,蓝膜上最多有5000粒芯片,但必须保证每张蓝膜上芯片的数量不得少于1000粒,芯片类型、批号、数量和光电测量统计数据记录在标签上,附在蜡光纸的背面。蓝膜上的芯片将做最后的目检测试与第一次目检标准相同,确保芯片排列整齐和质量合格。这样就制成LED芯片(目前市场上统称方片)。
存在着下述缺陷:大族隐形切割机台图像模板是比对切割道附近,框住电极的矩形图像,根据图像中电极和电极外的图像灰阶来比对图型。但由于现在尺寸越来越大,电极离切割道相交中心越来越远;第一面切割完后,切割道上会有很大炸裂开来的裂纹,在比对第二面时,该区域会出现无法比对的情况。以上两种情况均会浪费很多时间不断寻找可以匹配的图像,甚至找了很长时间,仍没找到,最后报警,浪费时间,降低了产能。
大族隐形切割机台作业方式为,先进行图像模板比对,调整晶圆水平,并按切割道定位,进行第一面划片;旋转90°,进行第二面图像模板比对,调整晶圆水平,并按切割道定位,进行第二面划片。在第二面图像模板比对时,切割道炸痕不一,严重影响图像模板比对效率。为了提升第二面图像模板比对效率,在制作第二面图像模板时,避开第一面切割道炸裂影响。特此,将4电极2切割道模板,更改为2电极1切割道模板。成功避开第一面划裂切割道炸痕影响。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种图像模板优化提速方法,其包括以下步骤:
选取隐形切割机台,建立两种芯片参数档,分别为参数档A与参数档B,两种参数档的区别为第二面图像模板不同;
其中参数档A为4电极2切割道模板,按所述4电极2切割道模板建立第二面图像模板;参数档B为2电极1切割道模板,按所述2电极1切割道模板建立第二面图像模板;
划片作业时,划片机台作业完芯片第一面,旋转至第二面,但由于部分切割道炸得很开,选用所述2电极1切割道模板建立第二面图像模板,避免由于第一面的裂纹过大造成的图像匹配失败;最终,通过第二面图像模板完成第二面图像的定位,划片机根据第二面图像模板完成划片。
本发明具有以下有益效果:
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