[发明专利]存储装置有效
| 申请号： | 201710080698.6 | 申请日： | 2017-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN107808681B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 岸达也;稻场恒夫;渡边大辅;中山昌彦;尾形诚之;都甲大;相川尚德;小濑木淳一;永濑俊彦;李永民;泽田和也 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘静;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
1.一种存储装置，具备：
磁阻元件，其包括第1磁性层、第2磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层；和
写入电路，其控制第1写入和第2写入，使电流脉冲在所述磁阻元件中流动，所述第1写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为平行状态，所述第2写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为反平行状态，
所述第1写入所使用的第1脉冲模式与所述第2写入所使用的第2脉冲模式不同，
所述第1脉冲模式包括n个脉冲，所述n为2以上的整数，
所述第1脉冲模式在所述n个脉冲之间具有多个间隔。
2.根据权利要求1所述的存储装置，
所述第2脉冲模式包括单个脉冲。
3.根据权利要求1所述的存储装置，
所述第2脉冲模式整体的宽度与所述第1脉冲模式整体的宽度大致相同。
4.根据权利要求1所述的存储装置，
所述n个脉冲中的2个脉冲彼此的电流电平不同。
5.根据权利要求1所述的存储装置，
所述多个间隔中的2个间隔彼此的电流电平不同。
6.根据权利要求1所述的存储装置，
所述n个脉冲中的2个脉冲彼此的宽度不同。
7.根据权利要求1所述的存储装置，
所述多个间隔中的2个间隔彼此的长度不同。
8.根据权利要求1所述的存储装置，
所述第1脉冲模式具有第1电流电平和与所述第1电流电平不同的第2电流电平。
9.根据权利要求1所述的存储装置，还具备：
与所述磁阻元件的第1端子电连接的第1布线；和
与所述磁阻元件的第2端子电连接的第2布线，
所述写入电路使所述电流脉冲在所述第1布线与所述第2布线之间流动。
10.一种存储装置，具备：
磁阻元件，其包括第1磁性层、第2磁性层以及设置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的非磁性层；和
写入电路，其控制第1写入和第2写入，使写入电流在所述磁阻元件中流动，所述第1写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为平行状态，所述第2写入使所述第1磁性层的磁化和所述第2磁性层的磁化成为反平行状态，
所述第1写入中的第1写入电流具有第1脉冲和附加于所述第1脉冲的第2脉冲，
所述第2脉冲的宽度比所述第1脉冲的宽度短，
所述第2脉冲的电流电平与所述第1脉冲的电流电平不同，
在所述第2写入中使用单个写入脉冲。
11.根据权利要求10所述的存储装置，
所述第2脉冲的电流电平比所述第1脉冲的电流电平高。
12.根据权利要求10所述的存储装置，
所述第2脉冲的电流电平比所述第1脉冲的电流电平低。
13.根据权利要求10所述的存储装置，
所述写入电流还具有附加于所述第1脉冲的第3脉冲，所述第3脉冲为辅助脉冲，
所述第3脉冲的宽度比所述第1脉冲的宽度短，
所述第3脉冲的电流电平与所述第1脉冲的电流电平不同。
14.根据权利要求13所述的存储装置，
所述第2脉冲的电流电平比所述第1脉冲的电流电平高，
所述第3脉冲的电流电平比所述第1脉冲的电流电平低。
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