[发明专利]一种二硫化钼纳米片电化学传感器及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种二硫化钼纳米片电化学传感器，包括玻碳电极基底、电极引线和绝缘层，其特征在于：所述的玻碳电极基底表面涂覆有硫脲修饰的二硫化钼纳米片，所述的硫脲修饰的二硫化钼纳米片与GE11多肽连接；

所述的二硫化钼纳米片电化学传感器通过如下方法制备得到：

(1)将硫脲修饰的二硫化钼纳米片超声分散在混合溶液A中，得到硫脲修饰的二硫化钼分散液，其中，混合溶液A由全氟磺酸溶液、PVDF溶液和乙醇溶液组成；

(2)将步骤(1)中得到的硫脲修饰的二硫化钼分散液凃覆在玻碳电极上，干燥，得到涂覆有硫脲修饰的二硫化钼分散液的玻碳电极；

(3)将步骤(2)中得到的涂覆有硫脲修饰的二硫化钼分散液的玻碳电极浸泡在由PBS缓冲液、GE11多肽和EDC·HCl组成的混合溶液B中，4℃保存，得到二硫化钼纳米片电化学传感器；

步骤(1)中硫脲修饰的二硫化钼纳米片添加量为按每mL混合溶液A配比4mg硫脲修饰的二硫化钼纳米片计算；

步骤(1)中所述混合溶液A中全氟磺酸溶液、PVDF溶液和乙醇溶液按体积比4:3:100配比计算。

2.根据权利要求1所述的二硫化钼纳米片电化学传感器，其特征在于：所述的硫脲修饰的二硫化钼纳米片通过如下方法制备得到：将钼酸盐和硫源溶解于水中，然后将溶液在微波辐射条件下加热至220℃进行反应，洗涤、离心、干燥，得到硫脲修饰的二硫化钼纳米片。

3.根据权利要求1或2所述的二硫化钼纳米片电化学传感器，其特征在于：所述的硫脲修饰的二硫化钼纳米片的尺寸为200～300nm。

4.根据权利要求2所述的二硫化钼纳米片电化学传感器，其特征在于：所述的硫源和钼酸盐按摩尔比为12：1进行配比；所述的钼酸盐为四水合钼酸铵；所述的硫源为硫脲；所述的反应的时间为10分钟。

5.权利要求1～4任一项所述的二硫化钼纳米片电化学传感器的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)将硫脲修饰的二硫化钼纳米片超声分散在混合溶液A中，得到硫脲修饰的二硫化钼分散液，其中，混合溶液A由全氟磺酸溶液、PVDF溶液和乙醇溶液组成；

(2)将步骤(1)中得到的硫脲修饰的二硫化钼分散液凃覆在玻碳电极上，干燥，得到涂覆有硫脲修饰的二硫化钼分散液的玻碳电极；

(3)将步骤(2)中得到的涂覆有硫脲修饰的二硫化钼分散液的玻碳电极浸泡在由PBS缓冲液、GE11多肽和EDC·HCl组成的混合溶液B中，4℃保存，得到二硫化钼纳米片电化学传感器；

步骤(1)中硫脲修饰的二硫化钼纳米片添加量为按每mL混合溶液A配比4mg硫脲修饰的二硫化钼纳米片计算；

步骤(1)中所述混合溶液A中全氟磺酸溶液、PVDF溶液和乙醇溶液按体积比4:3:100配比计算。

6.根据权利要求5所述的二硫化钼纳米片电化学传感器的制备方法，其特征在于：

步骤(1)中所述的PVDF溶液通过如下方法制备得到：将PVDF溶解于N-甲基吡咯烷酮中，搅拌，得到PVDF溶液；

所述的N-甲基吡咯烷酮的添加量为按每g PVDF配比12mL N-甲基吡咯烷酮计算；

步骤(2)中所述的涂覆通过如下方法实现：取硫脲修饰的二硫化钼分散液，采用滴凃的涂覆方法，均匀地涂覆在洁净的玻碳电极的表面。

7.根据权利要求5所述的二硫化钼纳米片电化学传感器的制备方法，其特征在于：

步骤(1)中所述的超声的时间为30分钟；

步骤(2)中所述的干燥为在室温条件下自然干燥；

步骤(3)中所述的保存的时间为2.5小时。

8.权利要求1～4任一项所述的二硫化钼纳米片电化学传感器在生物医学领域中的应用。

9.权利要求1～4任一项所述的二硫化钼纳米片电化学传感器在细胞检测中的应用。