[发明专利]多功能传感器有效
申请号: | 201710076348.2 | 申请日: | 2017-02-13 |
公开(公告)号: | CN108426602B | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 蔡明志;何羽轩 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G01D21/02 | 分类号: | G01D21/02 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多功能 传感器 | ||
本发明提供一种多功能传感器,包括:衬底、第一传感结构、介电层以及第二传感结构。第一传感结构配置在衬底上。介电层配置在第一传感结构上。第二传感结构配置在介电层上。第一传感结构与第二传感结构位于衬底的同一侧。
技术领域
本发明涉及一种多功能传感器,尤其涉及一种具有多个位于衬底的同一侧的传感结构的多功能传感器。
背景技术
现有的多层传感结构是以半导体制程制造,然其需要多道掩膜制程,制造成本相当高。再者,由于多层传感结构包含多种材料,因此通常需要多个腔体,以进行这些材料的沉积、光刻等制程。否则,在单一腔体中进行多种材料制造时,易造成交叉污染的问题。
此外,通过半导体制程而将多层不同的传感结构形成在单一衬底上,在形成上层传感结构时,有可能对已形成的下层传感结构造成破坏,因此,在技术上面临相当多的挑战。
发明内容
本发明提供一种多功能传感器,可有效缩小传感器的体积,且在形成的过程中不会造成不同材料之间交叉污染的问题。
本发明提供一种多功能传感器,包括:衬底;第一传感结构,配置在衬底上;介电层,配置在第一传感结构上;以及第二传感结构,配置在介电层上,其中第一传感结构与第二传感结构位于衬底的同一侧。
在本发明的一实施例中,上述的第一传感结构包括具有电阻值变化传感构形的第一电极。
在本发明的一实施例中,上述的第二传感结构包括第二电极,配置在介电层上;以及传感层,配置在第二电极上。
在本发明的一实施例中,上述的多功能传感器还包括加热板,位于第二电极的间隙之中。
在本发明的一实施例中,上述的多功能传感器还包括光源,配置在传感层上或传感层的周边。
在本发明的一实施例中,上述的第一电极包括蛇状电极。
在本发明的一实施例中,上述的衬底的材料包括多孔材料,且第一传感结构的一部分延伸入衬底的孔洞中。
在本发明的一实施例中,上述的传感层的材料包括硅、纳米碳管、石墨烯、氧化石墨烯(graphene oxide)、氧化锌、二氧化锡、氧化铟、三氧化钨、氧化镁、二氧化钛、三氧化二铁、镍、铜、金金属团簇(Au cluster)或其组合。
在本发明的一实施例中,上述的第一传感结构、介电层、第二传感结构的形成方法包括三维打印。
在本发明的一实施例中,上述的衬底的材料包括纳米纤维素材料。
在本发明的一实施例中,上述的第一传感结构包括第一电极,配置在衬底上;以及第一电极传感层,配置在第一电极上。
基于上述,本发明的多功能传感器的多个传感结构位于同一衬底的同一侧,可有效缩小多功能传感器的体积。此外,本发明通过三维打印的方式形成多功能传感器,可避免在形成上层的传感结构时,对已形成的下层的传感结构造成的破坏,且不会造成不同材料之间交叉污染的问题。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是本发明一实施例的多功能传感器的示意图。
图1B至图1E是本发明其他实施例的多功能传感器的局部示意图。
图2是本发明图1A的实施例中的多功能传感器沿线I-I’的剖面示意图。
图3是本发明一实施例的第一传感结构与衬底的配置方式的示意图。
图4是本发明另一实施例的多功能传感器的示意图。
图5是本发明另一实施例的多功能传感器的示意图。
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