[发明专利]栅极驱动单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置有效

专利信息
申请号: 201710067128.3 申请日: 2017-02-07
公开(公告)号: CN106782336B 公开(公告)日: 2019-01-22
发明(设计)人: 陈义鹏;玄明花 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: G09G3/3266 分类号: G09G3/3266
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 罗瑞芝;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 栅极 驱动 单元 及其 方法 电路 显示装置
【说明书】:

发明提供一种栅极驱动单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置。该栅极驱动单元包括充电电路、下拉电路、上拉电路和上拉保持电路;充电电路用于接收上一级栅极驱动单元的输出端的输出信号,并在第一控制信号的控制下对下拉节点进行充电;下拉电路用于在第一控制信号和第二控制信号的控制下使栅极驱动单元输出栅极驱动信号;上拉电路用于在第一控制信号的控制下对栅极驱动单元的输出进行复位;上拉保持电路用于在第一控制信号的控制下使栅极驱动单元的输出保持复位状态。该栅极驱动单元控制信号数量少,降低了控制信号间的相互干扰;该栅极驱动单元所采用的开关管数量及外接引线数量少且电路复杂度低,不仅降低了生产成本,而且提高了成品率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种栅极驱动单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置。

背景技术

目前,低温多晶硅(Low Temperature Poly—Silicon,LTPS)技术广泛应用于AMOLED的驱动电路中,包括显示屏的外围驱动电路和屏上驱动电路。由于传统的互补式(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)低温多晶硅开关管(LTPS-TFT)制作工艺复杂,所采用的互补式低温多晶硅开关管数量通常较多,这使AMOLED的驱动电路生产成本昂贵,成品率低。

现有的AMOLED驱动电路中,单个栅极扫描控制电路单元中,一般需要使用至少4个时钟信号来控制该栅极扫描控制电路单元,每个栅极扫描控制电路单元至少由10个互补式低温多晶硅开关管构成,电路结构比较复杂,过多的输入时钟信号不仅带来了各时钟的复杂时序问题和干扰问题,也使提供时钟信号的外围驱动电路结构更加复杂。

发明内容

本发明针对现有技术中存在的上述技术问题,提供一种栅极驱动单元及其驱动方法、栅极驱动电路和显示装置。该栅极驱动单元控制信号数量少,从而降低了控制信号之间的相互干扰;同时该栅极驱动单元所采用的开关管数量及外接引线数量少且电路复杂度低,从而不仅降低了生产成本,而且提高了成品率;另外,该栅极驱动单元电路结构简单,占用面积小,利于窄边框显示器设计。

本发明提供一种栅极驱动单元,包括充电电路、下拉电路、上拉电路和上拉保持电路;所述充电电路和所述下拉电路连接下拉节点;所述下拉电路、所述上拉电路和所述上拉保持电路连接上拉节点;所述上拉电路和所述下拉电路连接所述栅极驱动单元的输出端;所述下拉电路与所述上拉保持电路连接于第五节点;所述充电电路、所述上拉电路和所述上拉保持电路连接第一电位端;所述下拉电路和所述上拉电路连接第二电位端;

所述充电电路用于接收上一级栅极驱动单元的输出端的输出信号,并在第一控制信号的控制下对所述下拉节点进行充电;

所述下拉电路用于在所述第一控制信号和第二控制信号的控制下使所述栅极驱动单元输出栅极驱动信号;

所述上拉电路用于在所述第一控制信号的控制下对所述栅极驱动单元的输出进行复位;

所述上拉保持电路用于在所述第一控制信号的控制下使所述栅极驱动单元的输出保持复位状态。

优选地,所述充电电路包括第一开关管和第一电容;

所述第一开关管的栅极连接第一控制信号端,所述第一开关管的第一极连接所述上一级栅极驱动单元的输出端,所述第一开关管的第二极和所述第一电容的第二极连接所述下拉节点;所述第一电容的第一极连接所述第一电位端。

优选地,所述下拉电路包括第二开关管、第五开关管、第三电容和第八开关管;

所述第二开关管的栅极和所述第五开关管的栅极连接所述下拉节点,所述第二开关管的第一极连接所述上拉节点,所述第二开关管的第二极连接所述第一控制信号端;

所述第五开关管的第一极连接第二控制信号端,所述第五开关管的第二极、所述第三电容的第二极、所述第八开关管的栅极和所述上拉保持电路连接于所述第五节点;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710067128.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top