[发明专利]一种半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片结构；对所述鳍片结构进行轻掺杂源/漏离子注入；形成覆盖所述鳍片结构的覆盖层；对所述鳍片结构进行退火处理；去除所述覆盖层。本发明提供的半导体器件的制造方法，在鳍片结构上形成有覆盖层，所述覆盖层在对鳍片结构进行退火时能够吸收热量，并阻止鳍片结构中的热量向外界扩散，从而促进掺杂离子的激活和鳍片结构的修复。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前，由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点，半导体器件的制备受到各种物理极限的限制。

随着CMOS器件尺寸的不断缩小，来自制造和设计方面的挑战促使了三维设计如鳍片场效应晶体管(FinFET)的发展。相对于现有的平面晶体管，FinFET是用于20nm及以下工艺节点的先进半导体器件，其可以有效控制器件按比例缩小所导致的难以克服的短沟道效应，还可以有效提高在衬底上形成的晶体管阵列的密度，同时，FinFET中的栅极环绕鳍片设置，因此能从三个面来控制静电，在静电控制方面的性能也更突出。

为避免或抑制导电沟道长度缩短引起源极和漏极之间的漏电流，业界引入轻掺杂源/漏(LDD)离子注入工艺。为了减小LDD区域的电阻，通常采用高剂量的离子注入，高剂量的离子注入会造成注入区域的非晶化和晶格损伤，这不利于后续源漏区的外延生长和金属硅化物的性能。而对于FinFET来说，鳍片的特征尺寸过小，在活化退火的工序中鳍片顶部的非晶化的硅难以再全部转化为多晶硅。

因此，为了解决上述问题，有必要提出一种新的半导体器件的制造方法。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片结构；

对所述鳍片结构进行轻掺杂源/漏离子注入；

形成覆盖所述鳍片结构的覆盖层；

对所述鳍片结构进行退火处理；

去除所述覆盖层。

示例性地，所述覆盖层为氧化物层。

示例性地，所述退火处理为峰值退火处理。

示例性地，对所述鳍片结构进行轻掺杂源/漏离子注入之前，还包括形成横跨所述鳍片结构的栅极结构的步骤。

示例性地，在形成所述栅极结构之后，进行轻掺杂源/漏离子注入之前，还包括在所述栅极结构两侧形成偏移侧壁的步骤。

示例性地，所述偏移侧壁的材料为SiN。

示例性地，整个所述覆盖层的上表面均高于所述鳍片结构的顶部。

示例性地，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域。

示例性地，对所述鳍片结构进行轻掺杂源/漏离子注入的步骤包括：

形成覆盖所述PMOS区域的第一掩膜层，并对所述NMOS区域的鳍片结构进行N型轻掺杂源/漏离子注入；

去除所述第一掩膜层；

形成覆盖所述NMOS区域的第二掩膜层，并对所述PMOS区域的鳍片结构进行P型轻掺杂源/漏离子注入；