[发明专利]减少损失的单端混频器

说明书

本公开涉及减少损失的单端混频器。公开了具有不匹配的高端接阻抗的单端混频器。端接阻抗可以比给定设计环境(诸如射频(RF)电路的50欧姆环境)的标准阻抗高至少一个数量级失配。可以在物理上接近单端混频器的混频器核心提供端接阻抗，以允许适当的操作带宽。

技术领域

所描述的产生的技术涉及电子，更具体地涉及混频器。

背景技术

混频器通常用于各种电路，例如射频(RF)接收器和RF发射器，用于诸如下变频或上变频的功能。RF信号可以在从大约30kHz到300GHz的频率范围内。可以使用差分混频器核和一个或多个巴伦和/或一个或多个端接阻抗来实现单端混频器。对于RF电路和微波设计，可期望提供被选择为匹配例如50Ω的标准传输线阻抗或标称阻抗的阻抗匹配和/或端接阻抗。取决于标准传输介质的特性阻抗，其他类似的值(例如30Ω，75Ω或77Ω)可用于其它类似的设计中。匹配端接阻抗可以有利地在无源混频器中提供相对高的隔离度。

发明内容

权利要求中描述的创新各自具有若干方面，其中没有单独一个单独负责其期望的属性。在不限制权利要求的范围的情况下，现在将简要描述本公开的一些突出特征。

在一个实施例中，一种装置包括混频器核心，其被配置为接收差分输入信号和差分振荡器信号，并且生成跨越第一差分节点和第二差分节点的差分信号，其中第二差分节点被配置为提供混频器核的单端输出。该装置还包括耦合到混频器核心的第一差分节点的失配端接阻抗，其中该端接阻抗与混频器核心的第二差分节点的负载阻抗在频率为单端输出。

在另一实施例中，无源混频器包括多个场效应晶体管，其被配置为将差分输入信号与差分振荡器信号混频以在第一节点和第二节点之间生成差分信号，以及高端接阻抗电耦合到所述第一节点，其中所述第二节点经配置以提供所述无源混频器的单端输出，且其中所述端接阻抗在所述单端输出的频率下为至少0.5kΩ。

在另一实施例中，一种制造混频器的方法包括形成多个场效应晶体管，其以操作距离彼此相邻，使得多个场效应晶体管被布置为混频器核心，并且被配置为将差分输入信号与差分振荡器信号以在第一节点和第二节点之间生成差分信号；在与所述多个场效应晶体管的操作距离相当的距离处形成与所述多个场效应晶体管中的一个相邻的高端接阻抗；以及将所述高端接阻抗电连接到所述第一节点，其中所述混频器被配置为在所述第二节点处提供单端输出，并且其中所述高端接阻抗在射频处至少高于50Ω的一个数量级频率。

为了总结本公开的目的，本文描述了本发明的某些方面，优点和新颖特征。应当理解，根据任何特定实施例不一定可以实现所有这些优点。因此，本发明可以以实现或优化如本文所教导的一个优点或一组优点的方式实施或实施，而不必实现本文可能教导或建议的其他优点。

附图说明

在提供这些附图和本文中的相关描述是为了说明本公开的具体实施例，而不意在限制。

图1A是根据一个实施例的在接收器电路中本文公开的技术的示例实施方式的图。

图1B是根据一个实施例的发射器电路中的本文所公开的技术的另一示例实施方式的图。

图1C是根据一个实施例的在接收器电路中的本文所公开的技术的另一示例实施方式的图。

图1D是根据一个实施例的发射器电路中的本文公开的技术的另一示例实施方式的图。

图2A是根据另一个实施例的发射器电路中本文公开的技术的示例实施方式的图。

图2B是根据另一实施例的在接收器电路中的本文公开的技术的另一示例实施方式的图。

图3A是根据一个实施例的单端混频器的图。

图3B是根据另一实施例的单端混频器的示意图。

图3C是根据另一实施例的单端混频器的图。