[发明专利]减少损失的单端混频器

权利要求书

1.一种电子装置，包括：

混频器核心，被配置为接收差分输入信号和差分振荡器信号，并且生成跨越第一差分节点和第二差分节点的差分信号，其中所述第二差分节点被配置为提供所述混频器核心的单端输出；和

耦合到所述混频器核心的所述第一差分节点的端接阻抗，

其中，在所述单端输出的频率下所述端接阻抗与耦合到所述混频器核心的所述第二差分节点的负载的负载阻抗失配至少一个数量级。

2.根据权利要求1所述的电子装置，还包括在所述混频器核心的差分振荡器信号节点处的一个或多个匹配网络。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述一个或多个匹配网络经布置以补偿由于所述端接阻抗与所述负载阻抗失配而导致的所述第一差分节点上的失配。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述端接阻抗物理上位于在布局规则下尽可能接近所述混频器核心，所述布局规则针对用于形成所述混频器核心和所述端接阻抗的工艺技术。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其中，所述混频器核心和所述端接阻抗在单个管芯上。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述端接阻抗包括具有在从500Ω至5000Ω的范围内的电阻的电阻器。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述混频器核心的所述第二差分节点耦合到高阻抗连接，所述高阻抗连接在射频下具有至少0.5kΩ的阻抗。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述混频器核心包括场效应晶体管(FET)无源混频器，并且其中所述端接阻抗和所述混频器核心的第一FET之间的距离与所述混频器核心的第一FET和第二FET之间的距离具有相同的量值。

9.根据权利要求1所述的电子装置，还包括耦合到所述混频器核心的差分输入信号节点的输入平衡器。

10.根据权利要求1所述的电子装置，还包括本地振荡器平衡器，其中所述本地振荡器平衡器耦合到所述混频器核心的差分振荡器信号节点。

11.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述混频器核心的所述第二差分节点的负载阻抗大约为50欧姆。

12.一种同相/正交相(I/Q)混频器，包括多个如权利要求1所述的装置。

13.一种无源混频器，包括：

多个场效应晶体管，被配置为将差分输入信号与差分振荡器信号混频以在第一节点和第二节点之间生成差分信号，所述第二节点耦合到具有负载阻抗的负载；和

电耦合到所述第一节点的高端接阻抗，

其中，所述第二节点经配置以提供所述无源混频器的单端输出，以及

其中，所述高端接阻抗与所述负载阻抗失配并且在所述单端输出的频率下为至少0.5kΩ。

14.根据权利要求13所述的无源混频器，其中，端接阻抗在布局规则下尽可能接近所述多个场效应晶体管，所述布局规则针对用于形成所述多个场效应晶体管和所述端接阻抗的工艺技术。

15.根据权利要求13所述的无源混频器，其中，所述端接阻抗与所述多个场效应晶体管中的第一场效应晶体管之间的距离与所述多个场效应晶体管中的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管之间的距离具有相同的量值。

16.根据权利要求13所述的无源混频器，其中，所述无源混频器是双平衡场效应晶体管(FET)环形混频器。