[发明专利]晶片检查

说明书

本发明涉及晶片检查。本发明揭示一种经配置以检查晶片的系统，该系统包括照明子系统，其经配置以使由所述照明子系统将多个脉冲光束中的第一者引导到晶片上的区域在时间上早于将所述多个脉冲光束中的第二者引导到所述区域；扫描子系统，其经配置以使所述多个脉冲光束跨所述晶片进行扫描；集光子系统，其经配置以使从所述晶片上的所述区域散射的光成像到一个或多个传感器；计算机子系统，其经配置以使用所述一个或多个传感器的所述输出来检测所述晶片上的缺陷。本发明中的系统可优化检查速度及/或灵敏性。

本申请是申请日为2012年7月10日，申请号为“201280040556.2”，而发明名称为“晶片检查”的申请的分案申请。

相关申请案的交叉参考

本申请案主张2011年7月12日申请的标题为“样本检查系统(Sample InspectionSystem)”的第61/506,892号美国临时申请案的优先权，所述申请案以引用的方式并入本文中，如同在本文中完全陈述一般。

技术领域

本发明大体上涉及经配置以检查晶片的系统。

背景技术

不应由于下文的描述及实例包含在此章节内而将其视为现有技术。

在半导体制造过程期间，在多个步骤使用检查过程来检测晶片上的缺陷，以提高制造过程中的更高良率且因此获得更高的利润。检查一直是制造半导体装置的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸减小，检查对成功地制造可接受的半导体装置愈加重要，因为较小的缺陷可能造成所述装置出现故障。

在晶片检查系统中，需要对颗粒、异常及其它类型缺陷具有提高的灵敏性，同时维持总检查速度(以每小时的晶片数计算)。暗场光学检查系统一般使用激光光来以特定图案(个别的点、线或区域)照射晶片且使用集光光学器件将散射光引导在一组对应的传感器上。

与照射所述晶片的一点(尺寸以微米计)或一线(宽度(微米)乘以长度(mm))相比，同时照射所述晶片的大区域(大约1mm乘以1mm)的检查系统的一个优点在于：存在可并行地从数千到数百万个个别检测器获取信息的许多种类的二维传感器。此外，因为照明光学器件及积分个别传感器的复杂性，点照射检查系统实际上受限于数十个点，因此限制可实现的处理量。点及线扫描系统的另一缺点在于，照明能量集中在相对小的区域中，从而增加经检查表面上的功率密度，这可不合意地改变样本性质。

众所周知的是，与螺旋顺序相比，XY(或蜿蜒)检查顺序提供较低的检查处理量；因此，在一些情况下，螺旋轨迹(通常称为R-Theta)是合意的。螺旋检查系统的实例包含SP1及SP2仪器，美国加州苗必达(Milpitas)市KLA-Tencor公司有售。

尽管区域检查系统具有如在上文描述及在技术(例如，颁与格塔(Guetta)的第7,286,697号美国专利)中描述的优点，但是在R-Theta平台上实施此配置被证明是具有挑战性的，这是因为存在所产生的图像的螺旋顺序与大多数二维阵列传感器的直线本质的固有失配。通过实时对准并对齐极性图像来检测缺陷是一项需要大量计算的活动。此外，与离散型检测器(例如，光电倍增管(PMT))相比，由大多数二维的基于硅的传感器添加到测量的额外噪声实际上降低了此类系统的灵敏性性能。在基于XY的区域检查系统上，不存在坐标失配问题，但此类系统的先前实施例无法高速检测所关注的所有缺陷，这是因为所述照明子系统及集光子系统缺乏灵活性。

因此，有利的是开发不具有上述缺点中的一者或一者以上的检查系统及/或方法。

发明内容

下文对各种实施例的描述决不应被解读为限制所附权利要求书的标的物。