[发明专利]一种镁合金批量微弧氧化和/或电沉积表面处理装置及方法

权利要求书

1.一种镁合金批量微弧氧化和/或电沉积的表面处理装置，其特征在于，包括电装置、控温槽以及置于控温槽内的反应槽；所述控温槽内均匀间隔设置有若干加热棒，且加热棒沿反应槽的外圆周均匀排布，反应槽内设置有搅拌装置；

所述电装置包括绝缘支撑板和排布电路，所述排布电路由电源连接线、环形导线和若干样品连接线构成，电源连接线一端与环形导线相连接，电源连接线另一端连接电源；样品连接线沿环形导线的圆周均匀、间隔排列，且样品连接线的上端与环形导线垂直连接，所述绝缘支撑板位于环形导线下方，且绝缘支撑板上对应于样品连接线的位置处开设有相应的孔，样品连接线向下穿过绝缘支撑板并伸出绝缘支撑板外，样品连接线的末端用以连接待处理的镁合金样品；绝缘支撑板的中心位置处设有柱状电极，柱状电极的上端伸出绝缘支撑板外并连接电源，柱状电极下端的延伸方向与样品连接线相同且与样品连接线相平行，柱状电极的轴向中心线与环形导线的中心线相重合；

微弧氧化处理时，所述柱状电极为不锈钢圆柱，柱状电极连接电源负极，电源连接线与电源正极相连；

电沉积处理时，所述柱状电极为柱状石墨电极，柱状电极连接电源正极，电源连接线与电源负极相连。

2.根据权利要求1所述的镁合金批量微弧氧化和/或电沉积的表面处理装置，其特征在于，所述样品连接线的数量为1个－50个；且每个样品连接线到不锈钢圆柱/柱状石墨表面的水平距离均相等，间距范围在3cm－20cm。

3. 根据权利要求2所述的镁合金批量微弧氧化和/或电沉积的表面处理装置，其特征在于，相邻两个样品连接线的间距范围为1 cm－16cm。

4.根据权利要求3所述的镁合金批量微弧氧化和/或电沉积的表面处理装置，其特征在于，使用镁棒作为连接样品线。

5.使用权利要求1至4任一所述装置进行镁合金批量微弧氧化的表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将待处理的镁合金样品表面进行预处理；

（2）配置微弧氧化处理液，混合均匀，加入到反应槽中；

（3）将待处理的镁合金样品与装置连接好；

（4）设定电源相关参数，试样接通电源，进行微弧氧化表面处理；

（5）处理结束后，取出镁合金样品，用去离子水清洗，干燥即得。

6.使用权利要求1至4任一所述装置进行镁合金批量电沉积的表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将待处理的镁合金样品表面进行预处理；

（2）配置电沉积处理液，混合均匀，加入到反应槽中；

（3）将待处理的镁合金样品与装置连接好；

（4）控温槽中加入自来水，并调节控温槽内水温为60℃－90℃；

（5）设定电源相关参数，试样接通电源，进行电沉积表面处理；

（6）处理结束后，取出镁合金样品，用去离子水清洗，干燥即得。

7.使用权利要求1至4任一所述装置进行镁合金批量微弧氧化和电沉积的表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将待处理的镁合金样品表面进行预处理；

（2）配置微弧氧化处理液，混合均匀，加入到反应槽中；

（3）将待处理的镁合金样品与装置连接好；

（4）设定电源相关参数，试样接通电源，进行微弧氧化表面处理；

（5）处理结束后，取出镁合金样品，用去离子水清洗，干燥；同时将反应槽内的微弧氧化处理液倒出并清洗反应槽，配置电沉积处理液，混合均匀后加入到反应槽中；

（6）将步骤（5）微弧氧化处理过的镁合金样品与装置连接好；控温槽中加入自来水，并调节控温槽内水温为60℃－90℃；

（7）设定电源相关参数，试样接通电源，进行电沉积表面处理；

（8）处理结束后，取出镁合金样品，用去离子水清洗，干燥即得。

8. 根据权利要求5所述进行镁合金批量微弧氧化的表面处理方法，其特征在于，步骤（2）的反应槽中微弧氧化处理液加入量为反应槽容积的70%－90%；步骤（4）中所述电源相关参数为：电压范围为200V－400V，占空比为5%－20%，频率为500Hz－1000Hz；微弧氧化处理在室温下进行，处理时间为10 min－30min。