[发明专利]曝光装置

说明书

技术领域

本发明涉及在电路图案的缩小投影中使用的曝光装置。

背景技术

通过划片装置等将由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片分割成各个器件芯片，并将器件芯片应用于移动电话、个人计算机等各种电子设备中。

关于晶片上的各器件，通过以下方式而构成为三维电路：在硅基板等半导体基板的上表面上覆盖抗蚀膜，通过一种被称为步进器的曝光装置对电路图案进行缩小投影并重复多次进行蚀刻和投影。

曝光装置具有：光源，其发出紫外线激光；被称为标线片的掩模，其以图案为单位而构成，该图案以多个器件为一组；以及投影透镜，该曝光装置一边使待投影的基板与投影透镜相对地移动，一边将希望的缩小图案投影于半导体基板的上表面(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开平4-225357号公报

然而，由于投影透镜构成为从投影出图案的中央处到外周不会产生像差，所以存在价格昂贵的问题。

发明内容

本发明是鉴于这样的问题而完成的，其目的在于提供一种曝光装置，使曝光装置低成本。

本发明是曝光装置，该曝光装置具有光源、照明光学系统、掩模以及投影光学系统，掩模构成为形成有多个小掩模，该小掩模由将构成1个器件的图案分割成多个区域而得的小图案构成，投影光学系统由与小掩模对应的大小构成，小图案被缩小投影在基板上。

优选小掩模配设在掩模选择单元中，该掩模选择单元选择性地定位在投影光学系统上，小图案被缩小投影在构成1个器件的区域所需的位置处。并且，小图案可以被投影成一部分重叠而使配线的图案连结，小图案也可以被投影成彼此不重叠，对配线用图案进行投影而使小图案与小图案的配线连结。

优选供小图案进行缩小投影的基板的大小为例如直径为10mm～20mm。

本发明的曝光装置的掩模由多个小掩模构成，该小掩模由将构成1个器件的图案分割成多个区域而得的小图案构成，由于投影光学系统由与小掩模对应的大小构成并且小图案被缩小投影到基板上，所以代替由随着投影面积变大而累积性地要求像差的精度的价格高昂的透镜构成的投影光学系统，能够使用由投影面积小的像差的影响少的小型的透镜构成的投影光学系统，并能够低成本地提供曝光装置。

并且，小掩模配设在掩模选择单元中，该掩模选择单元选择性地定位在投影光学系统上，小图案被缩小投影在构成1个器件的区域所需的位置处，由此，在1台曝光装置中能够高效地切换小图案而进行曝光并对用于制造出1个器件的图案进行缩小投影。

通过使小图案缩小投影成一部分相重叠而使配线的图案连结，或者使小图案缩小投影成不重复，对配线用图案进行投影而使小图案与小图案的配线连结，能够将相邻的小图案彼此可靠地连接。

附图说明

图1是示出在曝光装置中使用第1实施方式的掩模的情况的立体图。

图2的(a)、(b)、(c)和(d)是示出使用第1实施方式的掩模来对图案进行投影的顺序的俯视图。

图3是示出显影后的工件的俯视图。

图4是示出掩模的第2实施方式的立体图。

图5的(a)、(b)、(c)和(d)是示出使用第2实施方式的掩模来对图案进行投影的顺序的俯视图。

图6是示出对使用第2实施方式的掩模来投影出图案的工件实施了配线之后的工件的俯视图。

图7是示出掩模的第3实施方式的立体图。

图8是示出掩模的第4实施方式的立体图。

标号说明

1：曝光装置；2：保持工作台；20吸引部；21：框体；3：光源；4：照明光学系统；5：投影光学系统；6：掩模选择单元；60A、60B、60C、60D：小掩模；61：旋转轴；7：X方向驱动机构；70：轨道；71：移动基台；8：Y方向驱动机构；80：轨道；81：移动基台；600：掩模选择单元；60A’、60B’、60C’、60D’：小掩模；9：掩模选择单元；9A、9B、9C、9D：小掩模；10：掩模选择单元；100：片材；101：输送辊；102：卷取辊；103、104：辊；10A、10B、10C、10D：小掩模；200：工件；201：硅基板；202：光致抗蚀膜；203：器件形成部；A、B、C、D、A’、B’、C’、D’：曝光区域；AB、BC、CD、DA、ABC、ABCD：重复区域。

具体实施方式