[发明专利]一种强化截齿的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710036674.0 申请日: 2017-01-18
公开(公告)号: CN106835121A 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 张云江;付宇明;王祺;张扬 申请(专利权)人: 唐山市丰南区天泽科技有限公司
主分类号: C23C24/10 分类号: C23C24/10;C22C38/44;C22C38/02;C22C26/00
代理公司: 秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙)13116 代理人: 刘建年
地址: 063300 河*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 强化 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种强化截齿的制备方法,其特征是:它包括以下步骤:

(1)截齿表面预处理,对截齿表面进行除油污处理,并用酒精清洗干净;

(2)配制金属陶瓷合金粉末;

(3)将配制好的金属陶瓷合金粉末放入机械式三维混粉器中充分混合,混合时间为3小时;

(4)将截齿固定于变位器上,在大功率半导体激光加工工装平台上进行激光熔覆,熔覆过程采用重力预置送粉,金属陶瓷合金粉末厚度为1.5-2mm;用大功率半导体激光器输出的高能量光束,扫描输送到位的金属陶瓷合金粉末,使得金属陶瓷合金粉末与截齿表面金属发生快速冶金反应,获得均匀的耐磨抗蚀陶瓷合金层;

(5)将熔覆后的截齿放入缓冷箱进行缓冷,避免在冷却过程中因热应力与组织应力造成裂纹。

2.根据权利要求1所述的强化截齿的制备方法,其特征是:所述金属陶瓷合金粉末各成分的质量百分比为:镍包金刚石4-6%,Cr 12-14%,Mo 3-5%,Si 2-3.5%,余量为Fe,粉末粒度为100~320目。

3.根据权利要求1所述的一种强化截齿的制备方法,其特征是:所述大功率半导体激光熔覆工艺参数为:半导体激光器功率P=2000~3000W、矩形光斑2.5mm×11.5mm、搭接率10~50%、扫描速度V=300~700mm/min。

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