[发明专利]一种耐高输入电压的非隔离降压电路

说明书

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种耐高输入电压的非隔离降压电路。

背景技术

现有一些高压的应用场合，如380VAC三相交流系统、直流高压系统、高压新能源汽车电源系统等，其直流电压最高可达7-800VDC，此场合下应用的控制电路，其核心控制芯片都为15V以下，在一些非隔离应用中，要将800V电压降压到15V或以下时，由于电压差过大，普通降压芯片的最高工作电压都在700V以下，需要用到复杂的电路和特制的耐高压MOSFET来进行PWM降压，导致芯片辅助供电系统设计复杂，成本高。

现有技术一般是采用PWM控制芯片加上1200VMOSFET或IGBT组成开关降压电路来实现辅助电源供电，1200VMOSFET由于应用少，生产厂家少，价格贵。1200VIGBT管比较普遍，但是一般是针对大功率的应用，体积大，价格高，芯片辅助供电功率一般只有几瓦，用IGBT的话，比较浪费，而且体积大，性价比低，IGBT还有一个缺点就是载波频率普遍较低，一般只有20KHz左右，高频变压器就不能有效降低体积了。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种结构简单，能加上成本的一种耐高输入电压的非隔离降压电路。

本发明所采取的技术方案是：

一种耐高输入电压的非隔离降压电路，包括叠加电路、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电容、第二电容和变压器，所述叠加电路的输出端分别与第二二极管的负极端和变压器的初级绕组第一端相连接，所述叠加电路的反馈端连接至第三二极管的负极端，所述变压器的初级绕组第二端分别与第三二极管的正极端和第二电容的正极端相连接，所述变压器的次级绕组第一端与第一二极管的正极端连接，所述第一二极管的负极端与第一电容的正极端连接，所述第一电容的负极端分别与变压器的次级绕组第二端和地相连接，所述第二二极管的正极端和第二电容的负极端均与地连接，所述变压器的初级绕组的第二端作为第一降压输出端，所述第一二极管的负极端作为第二降压输出端。

作为本发明的进一步改进，所述叠加电路包括MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第三电容、第四电容、第一稳压管、第二稳压管和降压转换器，所述MOS管的漏极通过第一电阻连接至MOS管的栅极，所述MOS管的漏极连接至电源端，所述MOS管的栅极分别与第一稳压管的阴极端和第二稳压管的阴极端相连接，所述MOS管的源极分别与第一稳压管的阳极端和降压转换器的漏极端相连接，所述降压转换器的源极端分别与第二稳压管的阳极端、第二二极管的负极端和变压器的初级绕组第一端相连接，所述降压转换器的反馈端通过第二电阻连接至第三二极管的负极端，所述降压转换器的反馈端通过第三电阻连接至降压转换器的源极端，所述第三二极管的负极端通过第四电容连接至降压转换器的源极端，所述降压转换器的旁路端通过第三电容连接至降压转换器的源极端。

作为本发明的进一步改进，所述MOS管为增强型NMOS管。

作为本发明的进一步改进，所述变压器为高频变压器。

作为本发明的进一步改进，所述第二二极管为续流二极管。

作为本发明的进一步改进，所述第一电容和第二电容均为电解电容。

本发明的有益效果是：

本发明一种耐高输入电压的非隔离降压电路通过采用一般的电压器件组合得到叠加电路，使得组合以后的叠加电路能应用在超过800V的电压下面也能够正常工作，而且所用器件较为普遍，容易采购。而且本发明中的高频变压器体积较小，整个电路除了高频变压器为插件元件外，其余辅助元件都可以贴片化，能有效减小整体体积。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步说明：

图1是本发明一种耐高输入电压的非隔离降压电路的电路原理图。

具体实施方式