[发明专利]一种耐高输入电压的非隔离降压电路在审

专利信息
申请号: 201710036092.2 申请日: 2017-01-17
公开(公告)号: CN106787703A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 黎伯辉;陈刚;黄楚顺 申请(专利权)人: 广州万宝电子科技有限公司
主分类号: H02M3/155 分类号: H02M3/155
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 代理人: 胡辉
地址: 510470 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 输入 电压 隔离 降压 电路
【权利要求书】:

1.一种耐高输入电压的非隔离降压电路,其特征在于:包括叠加电路、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第一电容、第二电容和变压器,所述叠加电路的输出端分别与第二二极管的负极端和变压器的初级绕组第一端相连接,所述叠加电路的反馈端连接至第三二极管的负极端,所述变压器的初级绕组第二端分别与第三二极管的正极端和第二电容的正极端相连接,所述变压器的次级绕组第一端与第一二极管的正极端连接,所述第一二极管的负极端与第一电容的正极端连接,所述第一电容的负极端分别与变压器的次级绕组第二端和地相连接,所述第二二极管的正极端和第二电容的负极端均与地连接,所述变压器的初级绕组的第二端作为第一降压输出端,所述第一二极管的负极端作为第二降压输出端。

2.根据权利要求1所述的一种耐高输入电压的非隔离降压电路,其特征在于:所述叠加电路包括MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第三电容、第四电容、第一稳压管、第二稳压管和降压转换器,所述MOS管的漏极通过第一电阻连接至MOS管的栅极,所述MOS管的漏极连接至电源端,所述MOS管的栅极分别与第一稳压管的阴极端和第二稳压管的阴极端相连接,所述MOS管的源极分别与第一稳压管的阳极端和降压转换器的漏极端相连接,所述降压转换器的源极端分别与第二稳压管的阳极端、第二二极管的负极端和变压器的初级绕组第一端相连接,所述降压转换器的反馈端通过第二电阻连接至第三二极管的负极端,所述降压转换器的反馈端通过第三电阻连接至降压转换器的源极端,所述第三二极管的负极端通过第四电容连接至降压转换器的源极端,所述降压转换器的旁路端通过第三电容连接至降压转换器的源极端。

3.根据权利要求2所述的一种耐高输入电压的非隔离降压电路,其特征在于:所述MOS管为增强型NMOS管。

4.根据权利要求1所述的一种耐高输入电压的非隔离降压电路,其特征在于:所述变压器为高频变压器。

5.根据权利要求1所述的一种耐高输入电压的非隔离降压电路,其特征在于:所述第二二极管为续流二极管。

6.根据权利要求1所述的一种耐高输入电压的非隔离降压电路,其特征在于:所述第一电容和第二电容均为电解电容。

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