[发明专利]一种多孔聚苯硫醚薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201710034298.1 | 申请日: | 2017-01-18 |
公开(公告)号: | CN107057353A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 孟中平 | 申请(专利权)人: | 北京信润新材料科技有限公司 |
主分类号: | C08L81/02 | 分类号: | C08L81/02;C08K9/06;C08K3/36;C08K3/30;C08J5/18;C08J9/28 |
代理公司: | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司11471 | 代理人: | 刘丹丹 |
地址: | 100000 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多孔 聚苯硫醚 薄膜 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种薄膜材料及其制备方法,具体涉及属于一种多孔薄膜材料及其制备方法。
背景技术
聚苯硫醚(PPS)全称为聚苯基硫醚,是分子主链中带有苯硫基的热塑性树脂。PPS大分子链由刚性结构的苯环与柔性的硫醚键连接,它具有结晶度高、硬而脆、难燃、热稳定性好、耐化学腐蚀、高温高湿下尺寸稳定、电性能优良、耐磨性优良和熔融流动性优良等优点。此外,它还具有成型收缩率小(约0.08%),吸水率低(约0.02%),耐震动疲乏性好等优点。热稳定性,PPS是工程塑料中热稳定性最好的品种之一,其热变形温度一般大于260度;耐化学腐蚀性,PPS树脂耐化学腐蚀性能可与号称“塑料之王”的聚四氟乙烯相媲美,在200℃以下,几乎没有溶剂能溶解它;尺寸稳定性,PPS注塑制品具有良好的耐蠕变性能,线膨胀系数低,尺寸稳定性十分良好;电性能,PPS具有很低的介电常数、电感应率和介质损耗因素,在高温、高湿等环境下具有优良的绝缘性和介电特性等;粘接性能,PPS对玻璃、铝、不锈钢等有非常高的粘接强度,对玻璃的粘接强度甚至大于玻璃的内聚力,由于具有良好的耐腐蚀性和粘接性能,极宜作化工设备的衬里;另外,PPS自身的化学结构使其具有良好的难燃烧性能,无需加入阻燃剂。由于PPS具有无与伦比的综合性能,因此在航空航天、核工业、电子电气等高新技术领域以及机械、汽车、家用电器、办公自动化等传统工业领域得到广泛应用。
PPS优良的综合性能使其得到了广泛的应用。目前市面上的PPS薄膜主要有吹塑膜、压延膜和双向拉伸膜,由于PPS结晶速度快,硬而脆,所以在利用吹塑法生产的过程中薄膜容易破裂,使得制备的PPS薄膜存在诸多的缺陷;而压延法是将PPS树脂经过挤出机挤出,然后送往辊筒,再通过控制辊筒之间的间隙来生产一定厚度的聚苯硫醚薄膜,经压延法制得的薄膜的表面光滑度和辊筒有直接关系。虽然目前市面上的PPS薄膜具有较小的摩擦系数为0.25~0.43,但是仍然不能作为无油条件下的润滑材料使用。
发明内容
为了制备出一种具有摩擦系数低、润滑性能优良的多孔聚苯硫醚薄膜材料,本发明以聚苯硫醚为基体材料,向其中加入二硫化钼和二氧化硅,其中二硫化钼摩擦系数低,可作为固体润滑剂使用,二氧化硅微结构为球形,作为添加剂添加入高聚物中,可提高高聚物的耐磨性能和润滑性能。
本发明的目的是提供一种多孔聚苯硫醚薄膜,它的具体方案如下:
一种多孔聚苯硫醚薄膜,所述薄膜包括基体材料和填料,所述基体材料为聚苯硫醚,所述填料为二氧化硅和二硫化钼。
如上所述的一种多孔聚苯硫醚薄膜,优选地,所述聚苯硫醚的重量百分比为70~80%,所述二硫化钼的重量百分比为15~25%。
如上所述的一种多孔聚苯硫醚薄膜,优选地,所述二氧化硅的重量百分比为2~15%,所述聚苯硫醚的粒径为20~100μm,所述二硫化钼的粒径为1~200μm,所述二氧化硅的粒径为20~100nm。
如上所述的一种多孔聚苯硫醚薄膜,优选地,所述二氧化硅经表面改性剂处理。
如上所述的一种多孔聚苯硫醚薄膜,优选地,所述表面改性剂为N-β-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基硅烷,所述多孔聚苯硫醚薄膜采用喷涂法成型。
本发明的另一个目的是提供一种多孔聚苯硫醚薄膜的制备方法,包括以下步骤:
(1)称取重量百分比为70~80%聚苯硫醚树脂,称取重量百分数为15~25%的二硫化钼,称取重量分数为2~15%的二氧化硅,混合;
(2)将混合原料分散在沸点低于100℃的易挥发溶剂中,制得原料分散液;
(3)将制得的原料分散液喷涂在底材上,喷涂过程的气压为0~0.5MPa;
(4)将步骤(3)得到的材料烧结,得到多孔聚苯硫醚薄膜中间体;
(5)将多孔聚苯硫醚薄膜中间体置于油液中进行浸油处理。
如上所述的一种多孔聚苯硫醚薄膜的制备方法,优选地,步骤(2)所述溶剂为无水乙醇,分散液按照100g原料加入到100~300mL无水乙醇中的比例配置。
如上所述的一种多孔聚苯硫醚薄膜的制备方法,优选地,步骤(4)中的烧结过程为:由室温升温至300~400℃,并在300~400℃保温10~60min,烧结结束后自由降温,进一步地,烧结过程的更优条件为:由室温升温至350~365℃,并在350~365℃保温10~30min,烧结结束后自由降温。
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