[发明专利]一种液晶微波移相器有效
申请号: | 201710030887.2 | 申请日: | 2017-01-16 |
公开(公告)号: | CN106773338B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 秦广奎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1337 | 分类号: | G02F1/1337 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 液晶 微波 移相器 | ||
1.一种液晶微波移相器,其特征在于,包括相对设置的上基板和下基板,以及位于所述上基板和所述下基板之间的液晶分子,所述上基板由第一基板和第一取向层构成,第一取向层位于所述第一基板靠近所述液晶分子一侧且紧邻所述第一基板;所述下基板包括第二基板、接地引线、信号引线以及第二取向层,所述第二取向层位于所述第二基板靠近所述液晶分子一侧,所述接地引线和所述信号引线位于所述第二基板上且同层绝缘设置,且所述接地引线和所述信号引线位于所述第二基板和所述第二取向层之间,所述第一取向层和所述第二取向层用于对所述液晶分子进行取向,使得所述液晶分子水平取向,且所述液晶分子长轴方向与所述信号引线方向非垂直以及非平行;所述接地引线和所述信号引线用于根据接收到的电压控制所述液晶分子水平偏转;所述信号引线位于所述第二基板的中间区域,所述接地引线位于所述第二基板的边缘区域;所述下基板还包括设置在所述第二基板上间断分布的预设厚度的绝缘层,所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层;所述第一绝缘层与所述接地引线的位置对应,且被所述接地引线包覆;所述第二绝缘层与所述信号引线的位置对应,且被所述信号引线包覆;所述信号引线以折线方式排列,每一所述液晶分子长轴方向与所述液晶分子对应位置处的所述信号引线之间的夹角相等。
2.根据权利要求1所述的液晶微波移相器,其特征在于,所述接地引线与所述信号引线按照每一所述信号引线的任一侧设置一所述接地引线的方式设置;或,
所述接地引线与所述信号引线按照每一所述信号引线的相邻两侧均设置所述接地引线的方式设置。
3.根据权利要求1所述的液晶微波移相器,其特征在于,所述液晶分子长轴方向的介电常数大于所述绝缘层的介电常数;以及
所述液晶分子长轴方向的介电常数大于所述第一基板和所述第二基板的介电常数。
4.根据权利要求1所述的液晶微波移相器,其特征在于,所述液晶分子为正性液晶分子,或所述液晶分子为负性液晶分子。
5.根据权利要求4所述的液晶微波移相器,其特征在于,当所述液晶分子为正性液晶分子时,所述液晶分子长轴方向与所述信号引线之间的夹角大于0度小于等于45度。
6.根据权利要求4所述的液晶微波移相器,其特征在于,当所述液晶分子为负性液晶分子时,所述液晶分子长轴方向与所述信号引线之间的夹角大于等于45度小于90度。
7.根据权利要求1所述的液晶微波移相器,其特征在于,所述接地引线和所述信号引线之间的距离为0.5微米到200微米。
8.根据权利要求1所述的液晶微波移相器,其特征在于,所述第一基板和所述第二基板之间的距离小于等于20微米。
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