[发明专利]缓冲电路及模数转换器在审

专利信息
申请号: 201710030702.8 申请日: 2017-01-16
公开(公告)号: CN108322215A 公开(公告)日: 2018-07-24
发明(设计)人: 唐华;刘飞;荀本鹏;沈景龙;曲世军 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H03M1/00 分类号: H03M1/00;H03M1/06
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张凤伟;吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 缓冲电路 主级电路 电压调整电路 模数转换器 电路 输出电流 输出电压 参考电压 电路耦接 功耗降低 控制电压 面积和 缓冲 耦接 应用
【权利要求书】:

1.一种缓冲电路,其特征在于,包括:主级电路及与所述主级电路耦接的从级电路,以及电压调整电路,其中:

所述电压调整电路,与所述主级电路及所述从级电路耦接,适于在所述缓冲电路的输出电流非0时,调整所述主级电路的控制电压,使得所述主级电路的输出电压与从级电路的输出电压相同。

2.如权利要求1所述的缓冲电路,其特征在于,所述主级电路包括:第一运算放大器、与所述第一运算放大器耦接的第一MOS管,以及与所述第一MOS管串联的第一负载,其中:

所述第一运算放大器,第一输入端与参考电压输入端耦接,第二输入端与所述第一MOS管的源极耦接,适于为所述第一MOS管提供栅极电压作为所述主级电路的控制电压,以及为所述第一MOS管提供源极电压作为所述主级电路的输出电压;

所述第一MOS管的漏极与第一电压输入端连接,源极通过所述第一负载与第二电压输入端连接。

3.如权利要求2所述的缓冲电路,其特征在于,所述从级电路包括:第二MOS管及与所述第二MOS管串联的第二负载,其中:

所述第二MOS管的栅极与所述第一MOS管的栅极连接,漏极与所述第一电压输入端连接,源极通过所述第二负载与所述第二电压输入端连接,所述第二MOS管的源极电压作为所述从级电路的输出电压;

所述第二MOS管的尺寸为所述第一MOS管的M倍,所述第一负载的阻值为所述第二负载的M倍,M为正整数。

4.如权利要求3所述的缓冲电路,其特征在于,所述电压调整电路适于在所述缓冲电路的输出电流非0时,检测所述第一MOS管的源极与第二MOS管的源极之间的电压差,并根据所述电压差调整所述第一MOS管的栅极电压,使得所述第一MOS管的源极电压与第二MOS管的源极电压相同。

5.如权利要求4所述的缓冲电路,其特征在于,所述电压调整电路包括:

电压差检测电路,与所述第一MOS管的源极以及第二MOS管的源极耦接,适于检测所述第一MOS管的源极与第二MOS管的源极之间的电压差,并基于所述电压差产生相应的控制信号;

电流调整电路,与所述第一负载并联,适于基于所述控制信号,增大自身的电流,以调整所述第一MOS管的栅极电压。

6.如权利要求5所述的缓冲电路,其特征在于,所述电压差检测电路为误差放大器。

7.如权利要求5所述的缓冲电路,其特征在于,所述电流调整电路为第三MOS管,所述第三MOS管的栅极与所述电压差检测电路耦接,源极和漏极与所述第一负载的两端连接。

8.如权利要求7所述的缓冲电路,其特征在于,所述第三MOS管为NMOS管。

9.如权利要求3所述的缓冲电路,其特征在于,所述第一MOS管及第二MOS管均为NMOS管或者均为PMOS管。

10.如权利要求3所述的缓冲电路,其特征在于,所述主级电路还包括:电容,与所述第一MOS管的栅极耦接,且与所述第一负载并联。

11.一种模数转换器,其特征在于,包括权利要求1~10任一项所述的缓冲电路。

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