[发明专利]高性能永磁体制备方法及含该永磁体的真空波荡器磁结构有效
| 申请号： | 201710025410.5 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106847494B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 何永周 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 邓琪;余中燕 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 性能 永磁体 制备 方法 真空 波荡 结构 | ||
1.一种高性能永磁体制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，提供一磁化方向厚度为2.0mm-2.5mm的永磁体；
S2，在所述永磁体的表面覆盖粒径为1-7μm的TbF3粉末后将其置于一钼金属盒内，而后对其依次进行高温晶界扩散处理及回火处理；
S3，在经过所述步骤S2的永磁体表面镀NiCuNi层、TiN层或NiCuTiN层；
S4，对经过所述步骤S3的永磁体进行饱和磁化处理；以及
S5，对经过所述步骤S4的永磁体进行老化处理。
2.根据权利要求1所述的高性能永磁体制备方法，其特征在于，所述高温晶界扩散处理的温度控制在890-910℃，时间控制在8-12小时。
3.根据权利要求1所述的高性能永磁体制备方法，其特征在于，所述回火处理的温度控制在450-500℃，时间控制在3-6小时。
4.根据权利要求1所述的高性能永磁体制备方法，其特征在于，所述永磁体为各向异性烧结的钕铁硼永磁体、镨铁硼永磁体或钕镨铁硼永磁体。
5.根据权利要求1所述的高性能永磁体制备方法，其特征在于，在所述步骤S3中，当镀NiCuNi层时，NiCuNi层的厚度为10-20μm；当镀TiN层时，TiN层的厚度为4-7μm；当镀NiCuTiN层时，NiCuTiN层的厚度为10-15μm。
6.一种真空波荡器磁结构，其特征在于，该磁结构中的各永磁体磁场源采用根据权利要求1-5中任一项所述的高性能永磁体制备方法制成的永磁体。
7.根据权利要求6所述的真空波荡器磁结构，其特征在于，所述永磁体磁场源由多片沿磁化方向叠置的所述永磁体构成。
8.根据权利要求6所述的真空波荡器磁结构，其特征在于，所述磁结构经过磁场垫补处理。
9.根据权利要求6所述的真空波荡器磁结构，其特征在于，所述磁结构经过高温烘烤处理。
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