[发明专利]白光OLED器件

说明书

【技术领域】

本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种白光OLED器件。

【背景技术】

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)装置可以作为显示装置及照明装置的发光来源，具有广视角、响应时间短、轻薄和实现任意弯曲的优点。

OLED发光器件内部产生的光在OLED内部传播时，由于不同材料的光学系数不同，在各种材料界面会有反射以及折射，且当界面入射光角度太大时会形成全反射。传统OLED器件中存在包括表面等离子体激元SPP，衬底波导模式，ITO/有机层波导模式和金属电极吸收等多种能量耗损模式。由于金属电极与有机材料(介质材料)界面的SPP效应，发光层出射的总光通量中接近40％转化为非辐射模式而耗散。在OLED器件中，有机层(折射率n＝1.7)被ITO(折射率n＝1.8)玻璃(折射率n＝1.5)衬底和高反射金属电极夹在中间。根据Snell定律，折射率的差异会导致ITO/玻璃界面和玻璃/空气界面出现全反射。因此，大约有23％的总光通量被限制在玻璃衬底内(衬底波导模式)，约15％的总光通量被限制在ITO/有机层内(ITO/有机波导模式)。此外，还有约4％的总光通量被金属电极吸收。所以，传统OLED器件的出光效率只有18％左右，从而阻碍获得高外量子效率的OLED。即便对于内量子效率(internal quantum efficiency，IQE)接近100％的磷光OLED器件，其外量子效率(External quantum efficiency，EQE)也至多只有18％；而对于自旋因子只有25％的荧光OLED器件，其EQE至多也只达到4.5％。

为了提高OLED器件的出光率，三星、LG、上海天马、华星光电、京东方等且均采用Fabry-Perot(F-P)微腔技术来获得高光学特性。一般而言，经过微腔技术调控的OLED发光光谱会变窄，色纯度变高。然而，微腔效应的弊端之一是光谱峰位受到影响的因素太多，峰位受到微腔光学长度L以及镜面反射率影响，造成实际工程中的工艺窗口太小。例如，当保持OLED有机膜厚度不变时，ITO厚度变化1nm，就会引起OLED发光光谱峰值位移1.52nm；当ITO保持不变时，OLED有机膜厚度变化1nm，就会引起OLED发光光谱位移0.9nm。为保证光谱峰位不变，需要严格控制ITO或OLED有机膜的厚度，但1nm的ITO或者OLED有机膜工艺很难控制不变；同理，ITO或有机膜稍微变化1nm，光谱就偏了。

因此，有必要提供一种新的工艺解决上述技术问题。

【发明内容】

本发明的目的是克服上述技术问题，提供一种发光效率高的白光OLED器件。

本发明的技术方案是：

一种白光OLED器件，包括依次沉积形成的第一导电层、空穴传输部、发光层、电子传输部及第二导电层，所述白光OLED器件还包括形成于所述第一导电层和第二导电层之间的第一等离子增强荧光层和第二等离子增强荧光层。

优选的，所述第一等离子增强荧光层和所述第二等离子增强荧光层的材料为纳米金属粒子。

优选的，所述纳米金属粒子元素选自金、银、铜、铝、锌、铬、铂中的至少一种。

优选的，所述第一等离子增强荧光层和所述第二等离子增强荧光层的材料为金纳米粒子，其粒径为1-60nm。

优选的，所述第一等离子增强荧光层到所述发光层的界面的距离D(M1-EML)和所述第二等离子增强荧光层到所述发光层的界面的距离D(M2-EML)满足以下条件：D(EML)+D(M1-EML)≤140nm，D(EML)+D(M2-EML)≤140nm，其中，D(EML)表示所述发光层的厚度。

优选的，所述空穴传输部包括空穴注入层和沉积于所述空穴注入层表面的空穴传输层，所述电子传输部包括电子传输层和沉积于所述电子传输层表面的电子注入层，所述第一等离子增强荧光层嵌设于所述空穴注入层，所述第二等离子增强荧光层嵌设于所述电子传输层。

优选的，所述空穴传输部包括空穴注入层和沉积于所述空穴注入层表面的空穴传输层，所述第一等离子增强荧光层嵌设于所述空穴注入层，所述第二等离子增强荧光层嵌设于所述空穴传输层。

优选的，所述空穴传输部包括空穴注入层和沉积于所述空穴注入层表面的空穴传输层，所述电子传输部包括电子传输层和沉积于所述电子传输层表面的电子注入层，所述第一等离子增强荧光层嵌设于所述空穴传输层，所述第二等离子增强荧光层嵌设于所述电子注入层。