[发明专利]电流断路电路、具有其的半导体器件及其操作方法有效
申请号: | 201710006819.2 | 申请日: | 2017-01-05 |
公开(公告)号: | CN107688383B | 公开(公告)日: | 2021-08-03 |
发明(设计)人: | 金珉秀;李康悦 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G06F1/3234 | 分类号: | G06F1/3234 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 李少丹;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流 断路 电路 具有 半导体器件 及其 操作方法 | ||
1.一种电流断路电路,包括:
电流断路控制电路,适用于:响应于至少一个控制信号来顺序地输出具有时间差的第一使能信号和第二使能信号,其中,所述第二使能信号具有与所述第一使能信号相同的电平;以及
电流断路切换电路,适用于:响应于第一电压来输出或阻断第二电压,其中,在阻断第二电压时,所述电流断路切换电路响应于第一使能信号而形成第一电流路径,以及响应于第二使能信号而形成第二电流路径,
其中,所述电流断路切换电路包括耦接在电源端子和接地端子之间的第一电流断路单元和第二电流断路单元以及第一使能单元和第二使能单元,
其中,所述第一电流断路单元和第二电流断路单元交替布置并且与电源端子并联耦接,以及所述第一使能单元和第二使能单元交替布置并且耦接在所述第一电流断路单元和第二电流断路单元与接地端子之间,
其中,所述第一电流断路单元和第二电流断路单元串联耦接,所述第一电压被施加到所述第一电流断路单元和所述第二电流断路单元之中最先的电流断路单元,以及所述第二电压被输出到所述第一电流断路单元和所述第二电流断路单元之中最后的电流断路单元。
2.如权利要求1所述的电流断路电路,其中,所述电流断路控制电路包括:
第一使能信号输出电路,用于响应于所述至少一个控制信号来输出第一使能信号;以及
延迟电路,用于从第一使能信号被施加时起预定时间延迟以后输出第二使能信号。
3.如权利要求2所述的电流断路电路,其中,所述第一使能信号输出电路包括与非NAND门以用于响应于所述至少一个控制信号来输出第一使能信号。
4.如权利要求3所述的电流断路电路,其中,所述至少一个控制信号包括激活模式信号、上电复位信号和芯片使能信号。
5.如权利要求4所述的电流断路电路,其中,所述第一使能信号输出电路还包括:
第一反相器,用于反相并输出激活模式信号;以及
第二反相器,用于反相并输出上电复位信号。
6.如权利要求4所述的电流断路电路,其中,所述延迟电路包括多个反相器以用于延迟第一使能信号并且将延迟的第一使能信号输出为第二使能信号。
7.如权利要求6所述的电流断路电路,其中,反相器的数量鉴于在输出第二电压的节点中发生毛刺的时间来确定。
8.如权利要求1所述的电流断路电路,其中,所述第一电流断路单元和第二电流断路单元的每个电流断路单元包括反相器。
9.如权利要求1所述的电流断路电路,其中,所述第一使能单元响应于第一使能信号来激活,以及
所述第二使能单元响应于第二使能信号来激活。
10.如权利要求9所述的电流断路电路,其中,所述第一使能单元包括NMOS晶体管,所述NMOS晶体管响应于第一使能信号而在第一电流断路单元和接地端子之间形成电流路径,以及
第二使能单元包括NMOS晶体管,所述NMOS晶体管响应于第二使能信号而在第二电流断路单元和接地端子之间形成电流路径。
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