[发明专利]充电控制电路及终端

说明书

技术领域

本发明涉及充电技术领域，具体而言，涉及一种充电控制电路及一种终端。

背景技术

目前，由于移动终端设备的普及和技术发展的瓶颈，快速充电技术越来越受到重视。

相关技术中，低压快充方案多是采用CHARDER的供电输出端(记作VBUS端)与蓄电装置(记作BATTERY)的充电输入端(记作VBAT端)之间设置两个背靠背的MOS管(PMOS或NMOS)直接连接。

其中，两个MOS管的作用有两个：

(1)通过CPU主控的VGATE控制充电通道的通断，进行充电控制；

(2)防止VBUS意外短接到GND情况下，VBAT通过MOS管的体二极管电流倒灌。

采用两个背靠背的MOS管，虽然解决了意外情况下电流倒灌的问题，但是使用两个MOS管，至少存在以下问题：

(1)增加了成本；

(2)增加了线路阻抗，会导致发热问题；

(3)增加了PCB(Printed Circuit Board，印制电路板)布局面积。

因此，如何在解决VBAT电流倒灌的同时，降低成本，减少线路阻抗，降低发热，同时节省PCB布局面积，成为亟待解决的问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

为此，本发明的一个目的在于提出了一种充电控制电路。

本发明的另一个目的在于提出了一种终端。

为实现上述目的，根据本发明的第一方面的技术方案，提出了一种充电控制电路，包括：单向导通器件；功率器件，与单向导通器件串联连接于供电输出端与充电输入端之间；控制器，控制器的输出端连接至功率器件的驱动端，功率器件的驱动端获取导通信号时导通，以将供电输出端的充电电流正向传输至充电输入端，其中，单向导通器件在充电电流反向传输时不导通。

在该技术方案中，在供电输出端和充电输入端之间串联设置单向导通器件和功率器件，控制器驱动功率器件导通时，将供电输出端的电流正向传输至充电输入端。这样，通过设置单向导通器件，在充电过程中，如果遇到意外情况，导致充电电流反向传输时，单向导通器件呈高阻断开状态，以减少电流倒灌的可能性。同时，单向导通器件的设置，在解决意外情况下电流倒灌问题的同时，由于单向导通器件的成本较低，单向导通器件的导通阻抗也相对较小，因此可降低充电控制电路的成本，减少线路阻抗，降低发热，同时也可节省PCB布局面积。

根据本发明的上述技术方案的充电控制电路，还可以具有以下技术特征：

在上述技术方案中，优选地，单向导通器件包括：二极管，二极管的正极连接至供电输出端，二极管的负极连接至充电输入端。

在该技术方案中，单向导通器件包括二极管。二极管作为一种单向导通器件，分为正负极，具有单向导电特性。电流可由正极流向负极，但在二极管的正极接在低电位端时，二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态。因此，将二极管的正极连接在供电输出端，负极连接在充电输入端，当出现意外情况，导致供电输出端处于低电位时，充电电流由于二极管的存在减少倒流的可能性，因此，可以减少在意外情况下发生电流倒灌的可能性。并且，二极管的成本低廉，体积较小，阻抗和压降都可以控制在较小范围内，并且过流能力也能达到充电电流，因此，可以节省成本，降低充电过程中的发热，节省PCB布局面积。

在上述技术方案中，优选地，二极管为锗功率二极管。

在该技术方案中，选择锗功率二极管作为单向导通器件。在充电过程中，电流在充电电路中会产生热量，为了减少充电过程中电路过热的可能性，因此应尽量降低元器件的导通阻抗和导通压降。在二极管中，锗二极管具有导通阻抗小，正向压降小的特性，因此，选择锗功率二极管作为单向导通器件，可以在减少意外情况下发生电流倒灌可能性的同时，降低充电过程中的发热。

在上述技术方案中，优选地，功率器件包括MOSFET晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor晶体管，金属-氧化物半导体场效应晶体管)，MOSFET晶体管的源极连接至二极管的负极，MOSFET晶体管的漏极连接至充电输入端，功率器件的驱动端为MOSFET晶体管的栅极。