[发明专利]充电控制电路及终端在审
| 申请号： | 201710006410.0 | 申请日： | 2017-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN106655392A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 涂瑞 | 申请（专利权）人： | 宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H02J7/00 | 分类号： | H02J7/00 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人： | 尚志峰,汪海屏 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 充电 控制电路 终端 | ||
1.一种充电控制电路，充电输入端其特征在于，所述充电控制电路包括：
单向导通器件；
功率器件，与所述单向导通器件串联连接于供电输出端与充电输入端之间；
控制器，所述控制器的输出端连接至所述功率器件的驱动端，所述功率器件的驱动端获取导通信号时导通，以将所述供电输出端的充电电流正向传输至所述充电输入端，
其中，所述单向导通器件在所述充电电流反向传输时不导通。
2.根据权利要求1所述的充电控制电路，其特征在于，所述单向导通器件包括：
二极管，所述二极管的正极连接至所述供电输出端，所述二极管的负极连接至所述充电输入端。
3.根据权利要求2所述的充电控制电路，其特征在于，
所述二极管为锗功率二极管。
4.根据权利要求2所述的充电控制电路，其特征在于，
所述功率器件包括MOSFET晶体管，所述MOSFET晶体管的源极连接至所述二极管的负极，所述MOSFET晶体管的漏极连接至所述充电输入端，所述功率器件的驱动端为所述MOSFET晶体管的栅极。
5.根据权利要求4所述的充电控制电路，其特征在于，
所述MOSFET晶体管还设有反向恢复二极管，所述反向恢复二极管的正极连接至所述MOSFET晶体管的源极，所述反向恢复二极管的负极连接至所述MOSFET晶体管的漏极。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的充电控制电路，其特征在于，
所述控制器为CPU、MCU和单片机中的一种。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的充电控制电路，其特征在于，
所述单向导通器件的导通电阻小于或等于10毫欧。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的充电控制电路，其特征在于，
所述单向导通器件的导通压降小于或等于0.2伏。
9.根据权利要求1至5中任一项所述的充电控制电路，其特征在于，
所述单向导通器件的电流阈值大于或等于所述充电电流的最大值的1.2倍。
10.一种终端，其特征在于，包括：如权利要求1至9中任一项所述的充电控制电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司，未经宇龙计算机通信科技(深圳)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710006410.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种蓝光光源全光纤传输激光投影机
- 下一篇：显影装置及图像形成装置
