[发明专利]发光组件

权利要求书

1.一种发光组件，其包含：

第一膜(1)，该第一膜(1)包含第一固体聚合物组合物，其中该第一固体聚合物组合物包含第一发光晶体(11)，其中该第一发光晶体(11)

-具有钙钛矿结构，

-选自式(I)的化合物：

M¹_aM²_bX_c (I)，其中

M¹表示Cs，任选地经至多30摩尔％的一种或多种具有配位数12的其它金属掺杂，

M²表示Pb，任选地经至多30摩尔％的一种或多种具有配位数6的其它金属掺杂，

X独立表示选自由Cl、Br、I、氰根、以及硫氰酸根所组成的组的阴离子，

a表示1，

b表示1，

c表示3；

-具有在3nm与3000nm之间的尺寸，

-响应于具有较短波长的光的激发而发射红光，

第二膜(2)，该第二膜(2)包含第二固体聚合物组合物，其中该第二固体聚合物组合物包含第二发光晶体(21)，其中该第二发光晶体(21)

-具有钙钛矿结构

-选自式(II)的化合物：

M¹_aM²_bX_c (II)，其中

M¹表示Cs，任选地经至多30摩尔％的一种或多种具有配位数12的其它金属掺杂，

M²表示Pb，任选地经至多30摩尔％的一种或多种具有配位数6的其它金属掺杂，

X独立表示选自由Cl、Br、以及I、氰根、以及硫氰酸根所组成的组的阴离子，

a表示1，

b表示1，

c表示3；

-具有在3nm与3000nm之间的尺寸，

-响应于具有较短波长的光的激发而发射绿光，及

一种或多种阻挡膜，各具有小于0.2克·毫米·米^-2·天^-1的水蒸气透过率。

2.根据权利要求1的发光组件，

其中该第一发光晶体(11)具有在5nm与100nm之间的尺寸，和/或

其中该第二发光晶体(21)具有在5nm与100nm之间的尺寸。

3.根据权利要求1或权利要求2的发光组件，

其中该第一膜(1)的厚度是在3μm与500μm之间和/或

其中该第二膜(2)的厚度是在30μm与500μm之间。

4.根据权利要求1或权利要求2的发光组件，

其包含基材(3)，

其中该第一膜(1)被该基材(3)支撑，及

其中该第二膜(2)被该基材(3)支撑。

5.根据权利要求1或权利要求2的发光组件，

其中各阻挡膜包含选自由聚偏二氯乙烯、环烯烃共聚物、高密度聚乙烯、金属氧化物、SiO_x、Si_xN_y所组成的组的材料；任选地呈有机/无机多层的形式。

6.根据权利要求4的发光组件，

其中该基材(3)配置在该第一膜(1)与该第二膜(2)之间。

7.根据权利要求6的发光组件，其中该第一膜(1)配置在该阻挡膜中的第一个与该基材(3)之间，及该第二膜(2)配置在该阻挡膜中的第二个与该基材(3)之间。

8.根据权利要求4的发光组件，

其中该第一膜与该第二膜(1,2)中的一个配置在该基材(3)与该第一膜和该第二膜(2,1)中的另一个之间。

9.根据权利要求8的发光组件，其中该第一膜与该第二膜(1,2)配置在该基材(3)与该阻挡膜之间。