[发明专利]晶体硅系太阳能电池的制造方法和晶体硅系太阳能电池模块的制造方法

权利要求书

1.一种晶体硅系太阳能电池的制造方法，所述晶体硅系太阳能电池具备：具有第一主面和第二主面的n型晶体硅基板，依次形成于所述n型晶体硅基板的第一主面上的第一本征硅系薄膜、p型硅系薄膜、第一透明电极层和图案集电极，依次形成于所述n型晶体硅基板的第二主面上的第二本征硅系薄膜、n型硅系薄膜、第二透明电极层和镀覆金属电极；在所述n型晶体硅基板的第一主面的周缘上具有除去了第一透明电极层与第二透明电极层的短路的绝缘区域，

所述晶体硅系太阳能电池的制造方法具有如下工序：

第一本征硅系薄膜形成工序，在所述n型晶体硅基板的第一主面上和侧面上形成第一本征硅系薄膜，

p型硅系薄膜形成工序，在所述第一本征硅系薄膜上形成p型硅系薄膜，

第一透明电极层形成工序，在所述n型晶体硅基板的第一主面侧的除周缘以外的整个区域上形成第一透明电极层，

第二本征硅系薄膜形成工序，在所述n型晶体硅基板的第二主面上和侧面上形成第二本征硅系薄膜，

n型硅系薄膜形成工序，在所述第二本征硅系薄膜上形成n型硅系薄膜，

第二透明电极层形成工序，在所述n型晶体硅基板的第二主面侧的整个面和侧面形成第二透明电极层，

图案集电极形成工序，在所述第一透明电极层上形成图案集电极，以及

镀覆金属电极形成工序，以在所述n型晶体硅基板的第一主面的周缘上具有所述绝缘区域的状态，通过电镀法在所述第二透明电极层上形成镀覆金属电极；

在所述第一本征硅系薄膜形成工序之后，实施所述第二本征硅系薄膜形成工序，

所述图案集电极的厚度d₁大于所述镀覆金属电极的膜厚d₂。

2.根据权利要求1所述的晶体硅系太阳能电池的制造方法，其中，在所述p型硅系薄膜形成工序之后，实施所述n型硅系薄膜形成工序。

3.根据权利要求1或2所述的晶体硅系太阳能电池的制造方法，其中，在所述第一透明电极层形成工序中，通过以在所述n型晶体硅基板的第一主面的周缘上配置有掩模的状态进行成膜，从而在所述n型晶体硅基板的第一主面侧的除周缘以外的整个区域形成所述第一透明电极层。

4.根据权利要求1或2所述的晶体硅系太阳能电池的制造方法，其中，在所述第二透明电极层形成工序中，通过在不使用掩模的情况下进行成膜，从而在所述n型晶体硅基板的第二主面上的整个面和侧面形成所述第二透明电极层。

5.根据权利要求1或2所述的晶体硅系太阳能电池的制造方法，其中，在所述p型硅系薄膜形成工序中，通过在不使用掩模的情况下进行成膜，从而在所述n型晶体硅基板的第一主面上的整个面和侧面形成所述p型硅系薄膜，

在所述n型硅系薄膜形成工序中，通过在不使用掩模的情况下进行成膜，从而在所述n型晶体硅基板的第二主面上的整个面和侧面形成所述n型硅系薄膜。

6.根据权利要求1或2所述的晶体硅系太阳能电池的制造方法，其中，在所述第二透明电极层形成工序之后且所述镀覆金属电极形成工序之前，进一步具有在所述第二透明电极层上形成镀覆基底电极的镀覆基底电极形成工序，

在所述镀覆金属电极形成工序中，在所述镀覆基底电极上形成所述镀覆金属电极。

7.根据权利要求6所述的晶体硅系太阳能电池的制造方法，其中，在所述镀覆金属电极形成工序中，通过对所述镀覆基底电极供电而形成所述镀覆金属电极。

8.根据权利要求1或2所述的晶体硅系太阳能电池的制造方法，其中，在所述图案集电极形成工序中，通过电镀形成图案状的镀覆集电极。

9.根据权利要求8所述的晶体硅系太阳能电池的制造方法，其中，与所述镀覆金属电极形成工序同时实施所述图案集电极形成工序。