[发明专利]光源装置、投光装置有效
申请号: | 201680059866.7 | 申请日: | 2016-10-14 |
公开(公告)号: | CN108141009B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 山中一彦;森本廉;春日井秀纪;松村一幸;山口秀雄;铃木信靖 | 申请(专利权)人: | 松下半导体解决方案株式会社 |
主分类号: | H01S5/022 | 分类号: | H01S5/022 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李国华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光源 装置 | ||
光源装置(1)具备:半导体发光装置(10),具备具有第一主面(18a)以及第二主面(18b)的平板状的底座(14)、以及被配置在底座(14)的第一主面(18a)侧的半导体发光元件(11);第一固定部(40),具备按压第一主面(18a)的第一按压面(44),且设置有第一贯通孔(46);以及第二固定部(20),具备按压第二主面(18b)的第二按压面(24),且设置有第二贯通孔(26),通过围住第一固定部(40)的第一贯通孔(46)的第一内侧面(42)与第二固定部(20)的第二外侧面(22)嵌合,从而底座(14)被固定在第一按压面(44)与第二按压面(24)之间,第一按压面(44)与第二按压面(24)的距离为底座(14)的厚度以下,并且,在底座(14)侧方,在第一按压面(44)与第二按压面(24)之间形成有空隙部(35)。
技术领域
本公开涉及,光源装置,尤其涉及利用半导体发光装置的、用于投影显示装置、车辆照明、设施照明等的光源装置。
背景技术
以往,利用半导体激光器等的半导体发光元件被封装体化的半导体发光装置的光源装置被周知(例如,专利文献1)。在这样的光源装置中,需要将半导体发光元件中发生的热高效率地散热到光源装置外部。以下,利用附图说明以往的光源装置。图26是示出以往的光源装置1030的结构的示意性的截面图。
图26示出的以往的光源装置(半导体激光器模块)1030具备,搭载半导体激光器元件1011的半导体激光器装置(半导体激光器元件单元)1010。
在半导体激光器装置1010中,半导体激光器元件1011,经由子安装台1012安装在底座1014上的元件固定块1013,由盖子1015气密密封。也就是说,半导体激光器装置1010具有,所谓TO-CAN(Transistor Outlined CAN)型的封装结构。半导体激光器装置1010由粘接材料固定到截面L字形状的固定部1031的封装体支撑部1031b。
在半导体激光器装置1010中,从形成在底座1014的引脚1017向半导体激光器元件1011提供电力,从半导体激光器元件1011射出的光从盖子1015的透光窗射出。此时,半导体激光器元件1011中发生的热,经过由子安装台1012、元件固定块1013、底座1014构成的散热路径,从固定部1031的基部1031a传导到珀尔帖元件。
在所述的以往的光源装置1030中,构成散热路径的子安装台1012、元件固定块1013以及底座1014由热导率高的材料构成,并且,将底座1014的底面与固定部1031接触,从而试图提高散热性能。
(现有技术文献)
(专利文献)
专利文献1:日本特开2001-358398号公报
然而,这样的以往的光源装置1030中存在如下课题,即,在作为半导体激光器元件1011,利用大电流注入的高功率的元件、以及工作电压高的氮化物半导体元件等的发热量多的元件的情况下,半导体激光器装置1010的散热性能不充分,不能抑制半导体激光器元件1011的温度上升。特别是,在作为半导体激光器装置1010的封装体利用通用的形状的封装体的情况下,封装体的热容量小,用于向外部散热的散热面的面积也小,因此,具有半导体激光器元件1011的温度容易上升的课题。
发明内容
为了解决这样的课题,本公开的目的在于,提供能够将半导体发光装置中发生的热高效率地散热的光源装置。
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