[发明专利]半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器(1)，所述半导体激光器具有：

-半导体层序列(2)，所述半导体层序列包括n型传导的n型区域(21)、p型传导的p型区域(23)和位于其之间的用于产生激光辐射的有源区(22)，

-由透明导电氧化物构成的对于所述激光辐射能穿透的p型接触层(3)，所述p型接触层用于将电流直接注入到所述p型区域(23)中，和

-导电的且金属的p型接触结构(4)，所述p型接触结构直接处于所述p型接触层(3)处，

其中

-所述p型接触层(3)是用于引导所述激光辐射的外罩层的一部分，使得所述激光辐射在所述半导体激光器(1)运行时常规地进入到所述p型接触层(3)中，

-所述半导体层序列(2)具有两个棱面(25)，所述棱面形成用于所述激光辐射的谐振器端面，

-在直接在所述棱面(25)中的至少一个棱面处的至少一个电流保护区域(5)中，禁止到所述p型区域(23)中的电流注入，

-所述电流保护区域(5)在垂直于所属的所述棱面(25)的方向上的扩展为至少0.5μm和最高100μm，并且附加地为用于所述激光辐射的谐振器长度的最高20％，并且

-在所述电流保护区域(5)中，仅部分地移除所述p型接触层(3)并且所述p型接触层(3)在所述电流保护区域(5)中连续地朝所述棱面(25)延伸，并且直接处于所述棱面(25)处的区域完全没有所述p型接触层(3)，使得在所述电流保护区域(5)中，对于所述激光辐射的有效折射率在朝所属的所述棱面(25)的方向上下降。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中在另外的电流保护区域(5)中，在所述p型接触层(3)和所述p型区域(23)之间存在电的绝缘层(6)，其中所述绝缘层(6)具有最高为1μm的恒定的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中在另外的电流保护区域(5)中，所述p型区域(23)直接在所述p型接触层(3)处改性，使得在所述电流保护区域(5)中，防止到所述p型区域(23)中的电流注入，或者使其降低至少10倍。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中在另外的电流保护区域(5)中，所述p型接触层(3)直接在所述p型区域(23)处改性，使得在所述电流保护区域(5)中，防止到所述p型区域(23)中的电流注入，或者使其降低至少10倍。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中在另外的电流保护区域(5)中，移除所述p型接触层(3)和/或所述p型接触结构(4)。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中在另外的电流保护区域(5)中，移除所述p型接触层(5)，并且在所述另外的电流保护区域(5)中，至少一个附加层(63)直接施加在所述p型区域(23)上，其中所述附加层(63)是电绝缘的。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器(1)，

其中所述附加层(63)具有比所述p型区域(23)更高的比热导率。

8.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中在另外的电流保护区域(5)中，所述p型区域(23)具有比在剩余地带中更大的厚度，并且所述p型接触层(3)从所述另外的电流保护区域(5)中移除，

其中所述p型接触层(3)在远离所述有源区(22)的方向上与处于所述另外的电流保护区域(5)中的所述p型区域(23)平接。

9.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中在另外的电流保护区域(5)中，仅部分地移除所述p型接触层(3)，使得在所述另外的电流保护区域(5)中，所述p型接触层(3)中对于所述激光辐射的有效折射率在朝所属的所述棱面(25)的方向上和/或在远离所述有源区(22)的方向上下降，

其中直接在所属的所述棱面(25)处完全地移除所述p型接触层(3)。