[发明专利]用于使用灵活取样的过程控制的方法及系统

说明书

产生灵活的稀疏度量取样图包含：从度量工具接收来自一或多个晶片的度量信号全集；基于所述度量信号全集来确定一组晶片性质，且计算与所述组晶片性质相关联的晶片性质度量；基于所述度量信号全集来计算一或多个独立特性度量；以及基于所述组晶片性质、所述晶片性质度量及所述一或多个独立特性度量来产生灵活的稀疏取样图。使用来自所述灵活的稀疏取样图的度量信号来计算的所述一或多个性质的所述一或多个独立特性度量是在选自使用所述度量信号全集来计算的所述一或多个性质的一或多个独立特性度量的阈值内。

相关申请案的交叉参考

本申请案与下列申请案(“相关申请案”)相关且要求所述申请案的最早可用有效申请日的权利(例如，对于相关申请案的任何及全部父母代申请案、祖父母代申请案、曾祖父母代申请案等等，要求除临时专利申请案以外的最早可用优先权日，或根据35 USC§119(e)要求临时专利申请案的权利)。

相关申请案：

为满足USPTO附加法定要求，本申请案构成名为奥努尔·德米雷尔(OnurDemirer)、威廉·皮尔逊(William Pierson)及拉尼·沃尔科维奇(Roie Volkovich)的发明者于2015年6月18申请的名称为使用灵活取样的复合晶片控制(COMPOSITE WAFERCONTROL USING FLEXIBLE SAMPLING)的申请序列号为62/181,200的美国临时专利申请案的非临时专利申请案，所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。

为满足USPTO附加法定要求，本申请案构成名为马克·瓦格纳(Mark Wagner)、拉尼·沃尔科维奇、达娜·克莱因(Dana Klein)、比尔·皮尔森(Bill Pierson)及奥努尔·德米雷尔的发明者于2015年9月21申请的名称为优化基于取样的准确度(OPTIMIIZINGSAMPLING BASED ACCURACY)的申请序列号为62/221,588的美国临时专利申请案的非临时专利申请案，所述申请案的全文以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及用于光刻过程控制的晶片度量，且特定来说，本发明涉及用于减少噪声且改进反馈处理工具反馈校正的灵活取样图的产生。

背景技术

制造例如逻辑及存储器装置的半导体装置通常包含：使用大量制程来处理例如晶片的衬底以形成所述装置的各种特征及多个层级。举例来说，光刻术是涉及将图案从光罩/掩模转印到布置于晶片上的光致抗蚀剂的制程。制程的额外实例包含但不限于化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。

如本发明中所使用，术语“晶片”一般是指由半导体或非半导体材料形成的衬底。举例来说，半导体或非半导体材料可包含但不限于单晶硅、砷化镓或磷化铟。晶片可包含一或多个层。举例来说，此类层可包含但不限于光致抗蚀剂、电介质材料、导电材料及半导电材料。许多不同类型的此类层在所属领域中是已知的，且如本文中所使用，术语“晶片”希望涵盖其上可形成所有类型的此类层的晶片。形成于晶片上的一或多个层可经图案化或未经图案化。举例来说，晶片可包含各自具有可重复图案化特征的多个裸片。此类材料层的形成及处理最终可导致完成装置。许多不同类型的装置可形成于晶片上，且如本文中所使用，术语“晶片”希望涵盖其上可制造所属领域中已知的任何类型的装置的晶片。