[发明专利]电子设备中的透明应变传感器在审

专利信息
申请号: 201680042511.7 申请日: 2016-06-15
公开(公告)号: CN107850499A 公开(公告)日: 2018-03-27
发明(设计)人: M·沃斯古瑞特凯恩;J·S·史密斯;S·费利兹;J·E·皮德尔;许廷军;温肖楠 申请(专利权)人: 苹果公司
主分类号: G01L1/22 分类号: G01L1/22
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 边海梅
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子设备 中的 透明 应变 传感器
【权利要求书】:

1.一种定位在电子设备的可见区域中的透明应变传感器,所述透明应变传感器包括:

透明应变敏感元件,所述透明应变敏感元件由具有第一仪表系数的第一透明导电材料构成;

透明应变信号线,所述透明应变信号线直接连接到所述透明应变敏感元件并由具有第二仪表系数的第二透明导电材料构成,其中所述第一仪表系数大于所述第二仪表系数。

2.根据权利要求1所述的透明应变传感器,其中所述第一透明导电材料具有第一电阻,并且所述第二透明导电材料具有第二电阻,并且所述第一电阻大于所述第二电阻。

3.根据权利要求1所述的透明应变传感器,其中所述第一透明导电材料和所述第二透明导电材料各自包括透明导电氧化物膜。

4.根据权利要求3所述的透明应变传感器,其中所述第一透明导电材料包括掺镓氧化锌膜和掺铝氧化锌膜中的一者。

5.根据权利要求3所述的透明应变传感器,其中所述第二透明导电材料包括氧化铟锡膜。

6.根据权利要求3所述的透明应变传感器,其中所述第一透明导电材料包含多层透明导电结构,所述多层透明导电结构包括设置在两个透明导电氧化物膜之间的绝缘层。

7.根据权利要求2所述的透明应变传感器,其中所述应变信号线中的所述第二透明导电材料被处理以产生所述第二电阻。

8.根据权利要求7所述的透明应变传感器,其中所述第二透明导电材料掺杂有一种或多种掺杂物以产生所述第二电阻。

9.根据权利要求1所述的透明应变传感器,其中所述应变敏感元件的所述第一透明导电材料被处理以产生所述第一仪表系数。

10.根据权利要求8所述的透明应变传感器,其中所述应变敏感元件的所述第一透明导电材料被激光退火以产生所述第一仪表系数。

11.根据权利要求1所述的透明应变传感器,其中所述电子设备的所述可见区域包括所述电子设备的显示叠堆。

12.一种定位在电子设备的可见区域中的透明应变传感器,所述透明应变传感器包含混合透明导电材料,所述混合透明导电材料包括具有第一仪表系数和第一电阻的第一透明导电段和连接到所述第一导电段的具有第二仪表系数和第二电阻的第二导电段,其中所述第一仪表系数大于所述第二仪表系数并且所述第一电阻大于所述第二电阻。

13.根据权利要求12所述的透明应变传感器,还包括至少一个透明应变信号线,所述至少一个透明应变信号线直接连接到所述透明应变传感器,其中所述至少一个透明信号线具有第三仪表系数和第三电阻,其中所述第三电阻小于所述第一电阻和所述第二电阻。

14.根据权利要求12所述的透明应变传感器,其中所述电子设备的可见区域包括所述电子设备的显示叠堆。

15.一种用于制造透明应变传感器的方法,所述方法包括:

在基板上提供透明应变敏感元件,其中所述透明应变敏感元件包含具有第一仪表系数的一种或多种透明导电材料;以及

提供透明应变信号线,所述透明应变信号线直接连接到所述基板上的所述透明应变敏感元件,其中所述透明应变信号线包含具有不同的第二仪表系数的一种或多种透明导电材料。

16.根据权利要求15所述的方法,其中所述透明应变敏感元件中的所述一种或多种透明导电材料具有第一电阻,并且所述透明应变信号线中的所述一种或多种透明导电材料具有第二电阻,所述第一电阻大于所述第二电阻。

17.一种用于制造透明应变传感器的方法,所述方法包括:

在基板上提供透明应变敏感元件,其中所述透明应变敏感元件包含一种或多种透明导电材料;

提供透明应变信号线,所述透明应变信号线直接连接到所述基板上的所述透明应变敏感元件;以及

对所述透明应变敏感元件的所述一种或多种透明导电材料进行处理以增加所述透明应变敏感元件的仪表系数。

18.根据权利要求17所述的方法,其中所述透明应变信号线由相同的一种或多种透明导电材料构成。

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