[发明专利]无铅钙钛矿膜的形成在审
申请号: | 201680041108.2 | 申请日: | 2016-09-07 |
公开(公告)号: | CN107835867A | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 戚亚冰;郑敏喆;S·鲁伊斯·拉格 | 申请(专利权)人: | 学校法人冲绳科学技术大学院大学学园 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/06;H01L51/44 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 庞东成,张培源 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无铅钙钛矿膜 形成 | ||
1.一种形成无Pb钙钛矿膜的方法,该方法包括:
基于在真空蒸发系统中的真空蒸发的第一沉积,使包含Sn卤化物的第一材料在衬底上形成第一层;
基于在真空蒸发系统中的真空蒸发的第二沉积,使包含有机卤化物的第二材料在第一层上形成第二层,从而获得在所述衬底上顺序沉积的双层膜;和
对所述衬底上顺序沉积的双层膜进行退火,其中,第一材料和第二材料相互扩散并反应以形成所述无Pb钙钛矿膜。
2.如权利要求1所述的方法,其进一步包括:
在第二沉积后,将衬底上的顺序沉积的双层膜从所述真空蒸发系统中转移到容纳室中;
其中,所述退火在所述容纳室中完成。
3.如权利要求1所述的方法,其中,
沉积第二材料以形成覆盖第一层的第二层,用于防止第一层暴露于空气中。
4.如权利要求2所述的方法,其中
所述容纳室是填充有N2气的手套箱。
5.如权利要求1所述的方法,其中,
所述Sn卤化物是SnBr2、SnI2或SnCl2。
6.如权利要求1所述的方法,其中,
所述有机卤化物是MABr、MAI或MACl。
7.一种太阳能电池装置,其包含利用权利要求1所述的方法形成的无Pb钙钛矿膜,其中,
所述太阳能电池装置比包括利用溶液法形成的无Pb钙钛矿膜的太阳能电池装置更稳定。
8.如权利要求7所述的太阳能电池装置,其中,
所述太阳能电池装置的性能稳定超过或等于65天。
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