[发明专利]光刻设备、控制方法及计算机程序产品有效
| 申请号: | 201680039522.X | 申请日: | 2016-06-02 |
| 公开(公告)号: | CN107735731B | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
| 发明(设计)人: | B·范霍夫;W·T·特尔 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王静 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光刻 设备 控制 方法 计算机 程序 产品 | ||
一种光刻设备获得衬底的高度图(402)和在控制所述图案到所述衬底的成像时使用所述高度图。所述光刻设备被布置用于在控制所述成像时至少部分地忽略高度异常(B)。所述高度异常可以通过处理所述高度图来识别。例如,在一些实施例中,通过使用形状识别模型来识别所述高度异常。在一些实施例中,产生所述高度图(802)的修改版本,在所述修改版本中,至少部分地去除所述高度异常,且在控制所述图像时使用所述高度图的所述修改版本。可替代地,将异常图与所述(未修改的)高度图一起使用以控制成像。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年7月3日递交的欧洲专利申请EP 15175164.1的优先权,并且通过引用将全文并入本文中。
技术领域
本公开涉及一种光刻设备。本公开尤其涉及使用高度图控制光刻设备。本公开还涉及通过光刻术制造器件的方法,以及涉及用于实施这种设备和方法的部分的数据处理设备和计算机程序产品。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。例如,可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于所述IC的单层上的电路图案。可以将所述图案转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包含一部分管芯、一个或更多个管芯)上。所述图案的转移通常经由将图案成像到设置于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层来进行。通常,单个衬底将包含被连续地形成图案的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括:所谓的步进机,在所述步进机中,通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分;以及所谓的扫描器,在所述扫描器中,通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与所述方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。
使用形成投影系统的透镜(或反射镜)将图案成像到衬底的目标部分上。当图案成像到衬底上时,需要确保衬底最上表面(即图案待成像的表面)位于投影系统的焦平面内。
图案应当被投影到其上的衬底的表面从来不是完全平坦的,而是在大尺度和较小尺度上呈现许多高度偏差。调整投影系统的聚焦的失败可以导致差的图案形成性能,且因此导致整个制造过程的差的性能。诸如重叠、临界尺寸(CD)和CD均匀性的性能参数尤其将由于差的聚焦而劣化。
为了测量这些高度偏差,通常将水平传感器集成在光刻设备中。在衬底已经加载到光刻设备中以后,这些水平传感器是用于测量在衬底上的所有点处的衬底最上表面的竖直位置的光学传感器。所述一组测量(结果)被以某种合适的形式存储且可以被称为“高度图”。之后,当控制图案到衬底上的成像时使用所述高度图,用于确保在衬底的每一部分上的辐射敏感抗蚀层位于投影透镜的焦平面中。通常在衬底上的连续部分的曝光期间,将不断调整承载衬底的衬底支撑件的高度。在US 7265364 B2、US 20100233600 A1和US2013128247 A中公开了水平传感器的示例。在本文中不需要对它们详细描述。
在光刻术中已知的问题是衬底支撑件和/或衬底本身可能被微观颗粒污染,这造成了在高度上的高度局部化的偏差。这些偏差体现在高度图中,用于控制成像操作。因此能够发生所谓的“聚焦光斑”,其中成像操作的正常控制算法可能不能实现最佳聚焦,从而导致差的成像品质和差的功能器件的生产率。在EP 1457828 A2中,处理器被布置以通过使用高度图来监控聚焦光斑的发生。为了可靠地检测聚焦光斑,处理器首先计算平均管芯形貌,并从所测量的高度图减去平均管芯形貌,以便于聚焦光斑的识别。使用所获得的信息,可以计划干预措施从光刻设备和/或受影响的衬底清除掉污染物。然而,一旦采取这些干预措施,将会折衷制造过程的性能。本领域技术人员将认识到在大容量制造中保持生产量是至关重要的,且可能不得不在减少的生产率为代价的情况下容忍某一水平的聚焦光斑一段时间。
发明内容
期望在没有不利地影响生产量的情况下改善光刻制造过程的生产率。还期望如果可能的话使用现有的光刻设备和相关硬件来获得这种改善。
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