[发明专利]光伏装置

权利要求书

1.一种包括光敏区域的光伏装置，所述光敏区域包含通式为(I)的钙钛矿材料：

A_1-xA'_xBX_3-yX'_y (I)

其中A是甲脒阳离子(HC(NH)₂)₂⁺)，A'是铯阳离子(Cs⁺)，B是至少一个二价无机阳离子，X是碘离子并且X’是溴离子；并且其中0x≤0.4并且0y≤3。

2.根据权利要求1所述的光伏装置，其中所述钙钛矿材料的带隙是1.60eV至2.30eV。

3.根据权利要求1所述的光伏装置，其中B是选自Pb²⁺和Sn²⁺的至少一种无机阳离子。

4.根据权利要求1所述的光伏装置，其中所述钙钛矿材料具有下式：

FA_1-xCs_xPbI_3-yBr_y (II)

其中FA是甲脒阳离子((HC(NH)₂)₂⁺))，Cs是铯阳离子(Cs⁺)，Pb是铅(II)阳离子(Pb²⁺)，I是碘离子(I^-)，并且Br是溴离子(Br^-)。

5.根据权利要求4所述的光伏装置，其中0.05≤x≤0.25。

6.根据权利要求4所述的光伏装置，其中0y1.5，0y≤1.0，0y≤0.6。

7.根据权利要求1所述的光伏装置，其中所述光敏区域包括所述钙钛矿材料的薄膜。

8.根据权利要求1所述的光伏装置，其中所述光敏区域包括：

具有至少一个n型层的n型区域；以及与所述n型区域接触的所述钙钛矿材料的层。

9.根据权利要求1所述的光伏装置，其中所述光敏区域包括：

具有至少一个n型层的n型区域；

具有至少一个p型层的p型区域；以及设置在所述n型区域与所述p型区域之间的所述钙钛矿材料的层。

10.根据权利要求1所述的光伏装置，其中所述光伏装置具有多结结构，该多结结构包括设置在第二子电池上的第一子电池，所述第一子电池包括包含所述钙钛矿材料的所述光敏区域。

11.根据权利要求10所述的光伏装置，其中所述光伏装置具有单片集成构造。

12.根据权利要求10所述的光伏装置，其还包括将所述第一子电池连接到所述第二子电池的中间区域，其中所述中间区域包括一个或多个互连层。

13.根据权利要求10所述的光伏装置，其中所述第二子电池包含第二钙钛矿材料、晶体硅、CdTe、CuZnSnSSe、CuZnSnS或CulnGaSe(CIGS)中的任一种。

14.一种制造包含光敏材料的光伏装置的方法，所述光敏材料包含通式为(I)的钙钛矿：

A_1-xA'_xBX_3-yX’_y (I)

其中A是甲脒阳离子(HC(NH)₂)₂⁺)，A'是铯阳离子(Cs⁺)，B是至少一种二价无机阳离子，X是碘离子并且X’是溴离子，并且其中0x≤0.4并且0y≤3；

所述方法包括：

(a)将第二区域设置在第一区域上，所述第二区域包括所述光敏材料的层。