[发明专利]氧化铝烧结体及光学元件用基底基板

权利要求书

1.一种氧化铝烧结体，

其具有c晶面取向度为5％以上的面，该c晶面取向度是使用照射X射线时在2θ＝20°～70°的范围内的X射线衍射图谱，利用Lotgering法而求出的，

所述氧化铝烧结体包含Mg、F，Mg/F的质量比为0.05～3500，Mg的含量为30～3500质量ppm，F的含量为36ppm～200ppm，

结晶粒径为15～200μm，

在用肉眼观察以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向372.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时，直径0.2～0.6μm的气孔为250个以下，

直径0.2～0.6μm的气孔的体积相对于所述氧化铝烧结体的体积的比例为130体积ppm以下。

2.根据权利要求1所述的氧化铝烧结体，其中，

在用肉眼观察利用扫描电子显微镜以倍率1000倍对纵向370.0μm×横向372.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时，直径0.2～0.6μm的异物为50个以下。

3.根据权利要求1或2所述的氧化铝烧结体，其中，

在用肉眼观察以倍率500倍对纵向1340.4μm×横向1607.0μm的视野进行拍摄而得到的照片时，直径1μm以上的气孔为50个以下。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的氧化铝烧结体，其中，

0.5mm厚的所述氧化铝烧结体在450～1000nm处的直线透过率为60％以上。

5.根据权利要求4所述的氧化铝烧结体，其中，

所述直线透过率为80％以上。

6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的氧化铝烧结体，其中，

Mg、C、F以外的杂质元素的含量为50ppm以下。

7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的氧化铝烧结体，其中，

Mg/F的质量比为0.2～3.5，Mg的含量为100～1500质量ppm。

8.根据权利要求1～7中的任意一项所述的氧化铝烧结体，其中，

结晶粒径为20～100μm。

9.根据权利要求1～8中的任意一项所述的氧化铝烧结体，其中，

摇摆曲线测定中的XRC半值宽度为15°以下。

10.一种光学元件用基底基板，其包含权利要求1～9中的任意一项所述的氧化铝烧结体。