[发明专利]自愈电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种自愈电容器，其特征在于，包括：

第一电极；

第二电极；

设置自在所述第一电极和所述第二电极之间的电介质层，其具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面，其中

所述电极是平面的并且几乎或基本上彼此平行地定位，

所述电极中的至少一个包括泡沫金属。

2.根据权利要求1所述的自愈电容器，其特征在于，

泡沫金属被设置得在由于向所述第一电极和所述第二电极之间施加电压而电流流过导电通道时，在电介质层中的导电通道的端部通过金属蒸发形成接触断路器。

3.根据权利要求1所述的自愈电容器，其特征在于，

所述电介质层包括多个导电通道，每个所述导电通道具有位于所述电介质层的第一表面上的一个出口点和位于所述第二表面上的另一个出口点，

其中所述第一电极和所述第二电极的每一个包括与电介质层相邻并且与至少一个出口点相对的至少一个局部接触断路器，而阻止电流通过电介质层中的导电通道。

4.根据权利要求3所述的自愈电容器，其特征在于，

所述局部接触断路器是穿透所述第一电极和所述第二电极中的相应一个电极的整个厚度的孔。

5.根据权利要求3所述的自愈电容器，其特征在于，

所述局部接触断路器是圆顶结构。

6.根据权利要求1所述的自愈电容器，其特征在于，

所述泡沫金属包括铝(Al)。

7.根据权利要求1所述的自愈电容器，其特征在于，

所述泡沫金属包括镍(Ni)。

8.根据权利要求1所述的自愈电容器，其特征在于，

所述泡沫金属包括铁(Fe)。

9.根据权利要求1所述的自愈电容器，其特征在于，

所述泡沫金属包括铜(Cu)。

10.根据权利要求1所述的自愈电容器，其特征在于，

所述泡沫金属的熔化温度为约400℃至约700℃。

11.根据权利要求1所述的自愈电容器，其特征在于，

所述泡沫金属中的金属含量为约5重量％至约30重量％。

12.根据权利要求1所述的自愈电容器，其特征在于，

所述泡沫金属是封闭气泡型。

13.根据权利要求1所述的自愈电容器，其特征在于，

所述第一电极包括泡沫金属，第二电极包括箔。

14.根据权利要求13所述的自愈电容器，其特征在于，

所述箔包括铝(Al)。

15.根据权利要求13所述的自愈电容器，其特征在于，

所述箔包括镍(Ni)。

16.根据权利要求13所述的自愈电容器，其特征在于，

所述箔包括铁(Fe)。

17.根据权利要求13所述的自愈电容器，其特征在于，

所述箔包括铜(Cu)。

18.根据权利要求1所述的自愈电容器，其特征在于，

所述第一电极包括泡沫金属，所述第二电极包括沉积薄膜金属。

19.根据权利要求18所述的自愈电容器，其特征在于，

所述沉积薄膜金属包括铝(Al)。

20.根据权利要求18所述的自愈电容器，其特征在于，

所述沉积薄膜金属包括镍(Ni)。

21.根据权利要求18所述的自愈电容器，其特征在于，

所述沉积薄膜金属包括铁(Fe)。

22.根据权利要求18所述的自愈电容器，其特征在于，

所述沉积薄膜金属包括铜(Al)。