[发明专利]被保护免受过压的电子控制设备有效
申请号: | 201680021701.0 | 申请日: | 2016-04-13 |
公开(公告)号: | CN107431348B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | L.莫尔纳尔;O.卢卡;H.施毛斯;B.丹 | 申请(专利权)人: | 大陆汽车有限公司 |
主分类号: | H02H3/20 | 分类号: | H02H3/20 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;杜荔南 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 受过 电子 控制 设备 | ||
1.一种电子控制设备(1000),其具有电子构件(200)并且具有用于保护所述构件(200)防止过压的保护电路(100),其中所述保护电路(100)包括:
- 输入端子(101),其用于与所述控制设备(1000)的所述构件(200)的输出端子(202)连接,其中通过所述构件(200)在所述控制设备(1000)的运行下将控制信号(DRV)施加给所述输入端子(101);
- 输出端子(102),其用于与负载(300)连接;
- 过压探测单元(120),其具有用于探测在所述输出端子(102)处的过压的装置(Dz1、C15),所述过压探测单元提供操控信号(STS);
- 保护开关单元(110),其具有可控的串联稳压晶体管(T1)和控制晶体管(T2),其中所述可控的串联稳压晶体管(T1)接在所述输入端子(101)与所述输出端子(102)之间,所述控制晶体管(T2)根据所述过压探测单元(120)的操控信号(STS)使所述串联稳压晶体管(T1)导通或者截止;
其特征在于,
- 所述保护开关单元(110)包括第一电容器(C13),所述第一电容器(C13)接在所述输入端子(101)与参考电位之间,并且所述第一电容器(C13)被设计为使得在所述串联稳压晶体管(T1)由于在所述输出端子(102)处所探测到的过压而截止期间或者之后不久在所述输入端子(101)处产生在其大小和最小持续时间方面预先给定的电压脉冲,所述电压脉冲可以由所述构件(200)探测并且为了输出故障信号而被处理。
2.根据权利要求1所述的控制设备,其特征在于,所述电压脉冲的大小比所述构件(200)的供电电压大预先给定的数值,并且比在所述构件(200)的输出端子(202)处的容许的最大电压值小。
3.根据权利要求1或2所述的控制设备,其特征在于,所述电压脉冲的大小能通过关于所述控制晶体管(T2)的截止的开关速度来设定,其中控制晶体管(T2)用于操控所述串联稳压晶体管(T1)。
4.根据权利要求3所述的控制设备,其特征在于,为了设定所述控制晶体管(T2)的开关速度,在所述过压探测单元(120)中设置第二电容器(C15)。
5.根据权利要求4所述的控制设备,其特征在于,所述第二电容器(C15)与所述过压探测单元(120)的齐纳二极管(Dz1)串联,其中串联电路被设置在所述控制晶体管(T2)的控制端子与所述参考电位之间,用于检测在所述输出端子(102)处的电压。
6.根据权利要求5所述的控制设备,其特征在于,第一电阻(R26)与所述第二电容器(C15)并联,在有过压的情况下通过所述第一电阻(R26)限制流经所述齐纳二极管(Dz1)的电流。
7.根据权利要求1或2所述的控制设备,其特征在于,给所述保护电路(120)并联一个二极管(D3)。
8.根据权利要求1或2所述的控制设备,其特征在于,具有电流放大倍数hFE>100的双极型晶体管被设置为控制晶体管(T2)。
9.根据权利要求1或2所述的控制设备,其特征在于,第二电阻(R25)接在所述控制晶体管(T2)的基极与发射极之间, 用于在过压的情况下操控所述控制晶体管(T2)。
10.根据权利要求1或2所述的控制设备,其特征在于,在所述输入端子(101)与所述串联稳压晶体管(T1)的控制端子之间接有第三电容器(C16),通过所述第三电容器(C16)能设定所述串联稳压晶体管(T1)的截止的速度。
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