[发明专利]带载体的极薄铜箔、其制造方法、覆铜层叠板和印刷电路板有效

专利信息
申请号: 201680017908.0 申请日: 2016-02-29
公开(公告)号: CN107428129B 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 中岛大辅;花田彻;吉川和广;清水良宪 申请(专利权)人: 三井金属矿业株式会社
主分类号: B32B15/01 分类号: B32B15/01;B32B15/08;H05K1/09
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 载体 铜箔 制造 方法 层叠 印刷 电路板
【说明书】:

本发明提供在覆铜层叠板的加工乃至印刷电路板的制造中,能够兼顾激光开孔加工性和微细电路形成性的、带载体的极薄铜箔。本发明的带载体的极薄铜箔按照顺序具备载体箔、剥离层和极薄铜箔。极薄铜箔的剥离层侧的面的表面峰间的平均距离(Peak Spacing)为2.5~20.0μm、并且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk为1.5~3.0μm。极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面的波纹度的最大高低差Wmax为4.0μm以下。

技术领域

本发明涉及带载体的极薄铜箔、其制造方法、覆铜层叠板和印刷电路板。

背景技术

一直以来,作为印刷电路板的制造工法广泛采用减去法。减去法是可以使用铜箔形成微细电路的方法。例如,如图1和2所示,使基底基材12a上具备下层电路12b而成的绝缘树脂基板12通过预浸料14与铜箔10的粗糙化面粘接(工序(a));通过半蚀刻使铜箔10极薄化(工序(b));之后,根据需要通过激光开孔加工形成通孔16(工序(c))。接着,实施化学镀铜18(工序(d))和电镀铜20(工序(e));通过使用了干膜22的曝光和显影,以规定的图案进行掩模处理(工序(f));通过蚀刻将干膜22的开口部正下方不要的铜箔等溶解去除(工序(g));之后,将干膜22剥离(工序(h)),得到以规定的图案形成的布线24。

另外,近年来,作为覆铜层叠板的通孔加工,大多使用对极薄铜箔直接照射激光而形成通孔的直射激光(direct laser)开孔加工。例如,专利文献1(日本特开2001-326467号公报)中公开了包括在覆铜层叠板形成通孔等凹部的印刷电路板的制造方法,公开了能够直射激光开孔,即作为覆铜层叠板的外层铜箔采用波形状的铜箔,使用二氧化碳激光同时去除铜箔和基材树脂。另外,专利文献2(日本特开平11-346060号公报)中公开了对极薄铜箔表面实施黑化处理之后,对该经黑化处理的表面照射二氧化碳激光,从而对极薄铜箔及其正下方的绝缘层进行开孔的方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2001-326467号公报

专利文献2:日本特开平11-346060号公报

专利文献3:日本特开平9-241882号公报

发明内容

然而,如专利文献1中公开的使用波形状的铜箔的方法尽管激光开孔加工性高,但微细电路形成性差,优选不仅能确保高的激光开孔加工性还进一步提高微细电路形成性。另一方面,如专利文献2所公开的黑化处理不仅花费时间和金钱、产量也低,期望不进行黑化处理而对极薄铜箔表面实施直射激光开孔加工,则是优选的。

本发明人等此次得到如下见解:对于带载体的极薄铜箔赋予这样的表面轮廓:极薄铜箔的剥离层侧的面的表面峰间的平均距离(Peak Spacing)为2.5~20.0μm、并且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk为1.5~3.0μm,极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面的波纹度的最大高低差Wmax为4.0μm以下,由此,在覆铜层叠板的加工乃至印刷电路板的制造中,能够兼顾激光开孔加工性和微细电路形成性。

因此,本发明的目的在于,提供在覆铜层叠板的加工乃至印刷电路板的制造中,能够兼顾激光开孔加工性和微细电路形成性的、带载体的极薄铜箔。

本发明的一个方案提供带载体的极薄铜箔,其按照顺序具备:载体箔、剥离层和极薄铜箔,

所述极薄铜箔的剥离层侧的面的表面峰间的平均距离(Peak Spacing)为2.5~20.0μm、并且核心粗糙度深度(core roughness depth)Rk为1.5~3.0μm。

所述极薄铜箔的与剥离层相反一侧的面的波纹度的最大高低差Wmax为4.0μm以下。

通过本发明的另一方案,提供上述方案的带载体的极薄铜箔的制造方法,其包括:

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