[发明专利]聚硅氧烷粒子、聚硅氧烷粒子的制造方法、液晶滴下工艺用密封剂及液晶显示元件在审
申请号: | 201680010161.6 | 申请日: | 2016-04-28 |
公开(公告)号: | CN107250220A | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 上田沙织;山田恭幸 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
主分类号: | C08G77/20 | 分类号: | C08G77/20;C08J3/12;C09K3/10;G02F1/1339 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 张涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚硅氧烷 粒子 制造 方法 液晶 滴下 工艺 密封剂 液晶显示 元件 | ||
1.一种聚硅氧烷粒子,其具有0.1μm以上、500μm以下的粒径,并且,
所述聚硅氧烷粒子是具有硅氧烷键、自由基聚合性基团和碳原子数为5以上的疏水基团的聚硅氧烷粒子,
或者是使具有自由基聚合性基团的硅烷化合物和具有碳原子数为5以上的疏水基团的硅烷化合物反应并形成硅氧烷键从而得到的聚硅氧烷粒子,
或者是使具有自由基聚合性基团且具有碳原子数为5以上的疏水基团的硅烷化合物反应并形成硅氧烷键从而得到的聚硅氧烷粒子。
2.如权利要求1所述的聚硅氧烷粒子,其是具有硅氧烷键、在所述硅氧烷键的末端具有自由基聚合性基团并且在所述硅氧烷键的侧链上具有碳原子数为5以上的疏水基团的聚硅氧烷粒子,
或者是使具有自由基聚合性基团的硅烷化合物和具有碳原子数为5以上的疏水基团的硅烷化合物反应并形成硅氧烷键从而得到的聚硅氧烷粒子,
或者是使具有自由基聚合性基团且具有碳原子数为5以上的疏水基团的硅烷化合物反应并形成硅氧烷键从而得到的聚硅氧烷粒子。
3.如权利要求2所述的聚硅氧烷粒子,其是具有硅氧烷键、在所述硅氧烷键的末端具有键合于硅原子上的自由基聚合性基团、并且在所述硅氧烷键的侧链上具有键合于硅原子上的碳原子数为5以上的疏水基团的聚硅氧烷粒子,
或者是使具有键合于硅原子上的自由基聚合性基团的硅烷化合物和具有键合于硅原子上的碳原子数为5以上的疏水基团的硅烷化合物反应并形成硅氧烷键从而得到的聚硅氧烷粒子,
或者是使具有键合于硅原子上的自由基聚合性基团且具有键合于硅原子上的碳原子数为5以上的疏水基团的硅烷化合物反应并形成硅氧烷键从而得到的聚硅氧烷粒子。
4.如权利要求1~3中任一项所述的聚硅氧烷粒子,其是具有在1个硅原子上键合有2个甲基的二甲基硅氧烷骨架的聚硅氧烷粒子。
5.如权利要求1~4中任一项所述的聚硅氧烷粒子,其是压缩了30%时的压缩弹性模量为500N/mm2以下的聚硅氧烷粒子。
6.如权利要求1~5中任一项所述的聚硅氧烷粒子,其是不含有金属催化剂、或含有100ppm以下的金属催化剂的聚硅氧烷粒子。
7.如权利要求1~6中任一项所述的聚硅氧烷粒子,其是含有遮光剂的聚硅氧烷粒子。
8.如权利要求1~7中任一项所述的聚硅氧烷粒子,其是用于液晶滴下工艺用密封剂的聚硅氧烷粒子。
9.如权利要求1~8中任一项所述的聚硅氧烷粒子,其是具有硅氧烷键、自由基聚合性基团和碳原子数为5以上的疏水基团的聚硅氧烷粒子。
10.如权利要求1~8中任一项所述的聚硅氧烷粒子,其是使具有自由基聚合性基团的硅烷化合物和具有碳原子数为5以上的疏水基团的硅烷化合物反应并形成硅氧烷键而得到的聚硅氧烷粒子,
或者是使具有自由基聚合性基团且具有碳原子数为5以上的疏水基团的硅烷化合物反应并形成硅氧烷键而得到的聚硅氧烷粒子。
11.如权利要求10所述的聚硅氧烷粒子,其是利用自由基聚合引发剂使具有自由基聚合性基团的硅烷化合物和具有碳原子数为5以上的疏水基团的硅烷化合物反应而得到的聚硅氧烷粒子,或者是利用自由基聚合引发剂使具有自由基聚合性基团且具有碳原子数为5以上的疏水基团的硅烷化合物反应而得到的聚硅氧烷粒子。
12.一种聚硅氧烷粒子的制造方法,其是权利要求10所述的聚硅氧烷粒子的制造方法,该方法包括以下工序:
使具有自由基聚合性基团的硅烷化合物和具有碳原子数为5以上的疏水基团的硅烷化合物反应并形成硅氧烷键,从而得到聚硅氧烷粒子,
或者,使具有自由基聚合性基团且具有碳原子数为5以上的疏水基团的硅烷化合物反应并形成硅氧烷键,从而得到聚硅氧烷粒子。
13.如权利要求12所述的聚硅氧烷粒子的制造方法,其中,利用自由基聚合引发剂使具有自由基聚合性基团的硅烷化合物和具有碳原子数为5以上的疏水基团的硅烷化合物反应,从而得到聚硅氧烷粒子,
或者,利用自由基聚合引发剂使具有自由基聚合性基团且具有碳原子数为5以上的疏水基团的硅烷化合物反应,从而得到聚硅氧烷粒子。
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