[发明专利]用于校准至少一个处理元件的方法

权利要求书

1.一种用于校准处理塑料预成型件(3)的多个处理站(2)中的每个的相应温度传感器(11)的方法(100)，包括：

提供测量预成型件(4)；

在其中一个处理站(2)对测量预成型件(4)进行处理之前，由至少一个第一测量元件(5A、5B；51A、51B；52A、52B)测量所述测量预成型件(4)的第一温度参照值(N1)，且由相应温度传感器(11)测量所述测量预成型件(4)的第一温度测量值(T1)；

在所述其中一个处理站(2)对测量预成型件(4)进行处理之中或之后，由相应温度传感器(11)测量所述测量预成型件(4)的第二温度测量值(T2)，且由至少一个第二测量元件(5A、5B；51A、51B；52A、52B)测量所述测量预成型件(4)的第二温度参照值(N2)；

使用第一和第二温度参照值(N1、N2)产生数学参照线(N12)，且使用第一和第二温度测量值(T1、T2)产生数学测量线(T12)；并且

由至少一个校准装置(6)确定数学测量线(T12)与数学参照线(N12)的偏差，并且通过适配所述多个处理站(2)中的相应温度传感器的处理参数，使这些温度传感器(11)彼此同步且至少部分地减小所述偏差。

2.根据权利要求1所述的方法(100)，其特征在于：

第一和第二测量元件中的至少一个(51A、51B)被设置成布置在处理站(2)外部的中心测量装置的形式。

3.根据权利要求1或2所述的方法(100)，其特征在于：

第一和第二测量元件中的至少一个(52A、52B)离心地安装在所述处理站(2)内，并与所述处理站(2)一起移动。

4.根据权利要求1或2所述的方法(100)，其特征在于：

所述测量预成型件(4)是预成型假体、或被配置用于膨胀成容器的预成型件。

5.根据权利要求1或2所述的方法(100)，其特征在于：

至少一个参照面(50)被安装在第一和第二测量元件(5A、5B；51A、51B；52A、52B)中的至少一个中，并且能由所述处理站(2)对所述参照面进行加热；其中，所述测量预成型件(4)能被输送至所述参照面(50)与第一和第二测量元件(5A、5B；51A、51B；52A、52B)中的所述至少一个的温度测量传感器(50A)之间；其中所述参照面(50)的辐射发射光谱至少部分地对应于所述测量预成型件(4)的辐射发射光谱。

6.根据权利要求1或2所述的方法(100)，其特征在于：

所述处理站(2)是加热站。

7.根据权利要求5所述的方法(100)，其特征在于：

处理站(2)包括至少一个谐振器，第一和第二测量元件(5A、5B；51A、51B；52A、52B)和/或塑料预成型件(3)在谐振器中被加热，其中，参照面(50)至少部分地或完全地被安装在所述谐振器的外部。