[实用新型]一种降低颗粒污染的离子注入机有效
| 申请号： | 201621493048.1 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN206480589U | 公开（公告）日： | 2017-09-08 |
| 发明（设计）人： | 刘群超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 颗粒 污染 离子 注入 | ||
1.一种降低颗粒污染的离子注入机，所述离子注入机至少包括磁分析器、法拉第杯以及产生离子束的离子源，其特征在于，所述磁分析器的离子束出口处安装有过滤污染颗粒的石墨导向装置，所述石墨导向装置为一喇叭状的通道，且所述石墨导向装置的最小端开口位于所述磁分析器内，所述石墨导向装置的最大端开口固定于所述磁分析器的离子束出口处。
2.根据权利要求1所述的降低颗粒污染的离子注入机，其特征在于，所述石墨导向装置的最小端开口半径与所述离子束的半径相匹配。
3.根据权利要求1所述的降低颗粒污染的离子注入机，其特征在于，所述石墨导向装置的最大端开口半径与所述磁分析器的离子束出口相匹配。
4.根据权利要求1-3任一项所述的降低颗粒污染的离子注入机，其特征在于，所述石墨导向装置的最大端开口半径范围为90-110mm，最小端开口半径范围为40-60mm。
5.根据权利要求4所述的降低颗粒污染的离子注入机，其特征在于，所述石墨导向装置的最大端开口与最小端开口之间的距离范围为20-40mm。
6.根据权利要求1所述的降低颗粒污染的离子注入机，其特征在于，所述法拉第杯的底部设置有凹槽，所述凹槽适于接收所述法拉第杯内掉落的污染颗粒。
7.根据权利要求6所述的降低颗粒污染的离子注入机，其特征在于，所述凹槽的开口宽度范围为50-70mm，长度范围为90-110mm，深度范围为20-40mm。
8.根据权利要求1所述的降低颗粒污染的离子注入机，其特征在于，所述离子源为等离子体离子源。
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