[实用新型]GaAs单结太阳能电池有效
| 申请号： | 201621478204.7 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN206610820U | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 王颖 | 申请（专利权）人： | 陕西学前师范学院 |
| 主分类号： | H01L31/074 | 分类号： | H01L31/074;H01L31/0336;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710100 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gaas 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaAs单结太阳能电池，其特征在于，包括：Si衬底层，依次层叠于所述Si衬底层之上的Ge外延层、GaAs单结电池层、接触层、反射膜，其中所述Ge外延层中Ge为LRC晶体。
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述GaAs单结电池层包括依次层叠于所述Ge外延层上的GaAs背场层、GaAs基区，GaAs发射区、GaAs窗口层。
3.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述GaAs背场层厚度为800nm，N型掺杂，浓度为2×1018cm-3。
4.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述GaAs窗口层厚度为30nm，N型，掺杂浓度为2×1018cm-3。
5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述LRC晶体为采用激光再晶化工艺制备生成。
6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述Ge外延层厚度为200nm。
7.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述反射膜材料为SiN。
8.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述Si衬底层材料为单晶硅。
9.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述Si衬底层厚度为2μm。
10.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述接触层厚度为0.5um，N型掺杂，掺杂浓度为1×1019cm-3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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