[实用新型]基于SPiN二极管的SOI基可重构等离子全息天线

权利要求书

1.一种基于SPiN二极管的SOI基可重构等离子全息天线，其特征在于，包括：

Si基SOI半导体基片(1)；

制作在所述Si基SOI半导体基片(1)上的第一天线臂(2)、第二天线臂(3)、同轴馈线(4)及全息圆环(14)；

其中，所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)包括分布在所述同轴馈线(4)两侧且等长的SPiN二极管串，所述全息圆环(14)包括多个SPiN二极管串(w7)。

2.如权利要求1所述的天线，其特征在于，所述全息圆环(14)为由八段等长的SPiN二极管串排列形成正八边形结构，其中，所述正八边形的边长与所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)长度之和相同。

3.如权利要求1所述的天线，其特征在于，所述全息圆环(14)为由多个等长的SPiN二极管串构成并形成正多边形结构，所述正多边形的外接圆的半径为所述天线接收或发送的电磁波波长的四分之三。

4.如权利要求1所述的天线，其特征在于，所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)沿所述同轴馈线(4)轴对称分布且包括相同数量的SPiN二极管串。

5.如权利要求4所述的天线，其特征在于，还包括制作于所述Si基SOI半导体基片(1)的直流偏置线(5、6、7、8、9、10、11、12)；所述直流偏置线(5、6、7、8、9、10、11、12)间隔性的电连接至所述SPiN二极管串(w1、w2、w3、w4、w5、w6)两端。

6.如权利要求5所述的天线，其特征在于，所述直流偏置线(5、6、7、8、9、10、11、12)采用化学气相淀积的方法制作于所述Si基SOI半导体基片(1)上，其材料为铜、铝或经过掺杂的多晶硅中的任意一种。

7.如权利要求1所述的天线，其特征在于，构成所述SPiN二极管串的SPiN二极管包括P+区(27)、N+区(26)和本征区(22)，且还包括第一金属接触区(23)和第二金属接触区(24)；其中，

所述第一金属接触区(23)分别电连接所述P+区(27)与正电压，所述第二金属接触区(24)分别电连接所述N+区(26)与负电压，以使对应SPiN二极管串两端被施加电压后其所有SPiN二极管处于正向导通状态。

8.如权利要求1所述的天线，其特征在于，所述第一天线臂(2)和所述第二天线臂(3)的导通长度根据预接收或发送的电磁波波长所确定。