[实用新型]一种芯片级封装的声表面波谐振器有效
| 申请号： | 201621328914.1 | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN206323356U | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 姚艳龙;赖定权;沙小强 | 申请（专利权）人： | 深圳市麦高锐科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/25 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司44218 | 代理人： | 黄良宝 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片级 封装 表面波 谐振器 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片级封装的声表面波谐振器，包括有声表芯片，其特征在于：还包括有陶瓷基板，声表芯片通过倒装结构电连接在陶瓷基板上，声表芯片与陶瓷基板之间保留有空腔，在陶瓷基板上还设有用于封装声表芯片的树脂膜；所述的声表面波谐振器整体尺寸不大于2.0 mm *1.6 mm *0.6mm；长度不大于2.0 mm ，宽度不大于1.6 mm ，高度不大于0.6mm。
2.根据权利要求1所述的芯片级封装的声表面波谐振器，其特征在于：所述的声表芯片通过金属球与陶瓷基板间通过电性支撑连接。
3.根据权利要求1所述的芯片级封装的声表面波谐振器，其特征在于：所述的声表芯片通过电镀凸块由镀铜底层、镀镍中间层及镀锡外层组成的电镀凸块与陶瓷基板间通过电性支撑连接。
4.根据权利要求2所述的芯片级封装的声表面波谐振器，其特征在于：所述的声表芯片包括有压电基片，压电基片上设有叉指换能栅阵、反射栅阵、输入植球电极区和输出植球电极区；输入植球电极区与叉指换能栅阵电性连接，输出植球电极区经反射栅阵电性连接叉指换能栅阵。
5.根据权利要求1所述的芯片级封装的声表面波谐振器，其特征在于：所述的陶瓷基板为HTCC陶瓷基板或LTCC陶瓷基板。
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