[实用新型]基于可调稳压整流技术设计的温度上下限控制电路有效
申请号: | 201621305917.3 | 申请日: | 2016-12-01 |
公开(公告)号: | CN206209435U | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 李建忠 | 申请(专利权)人: | 重庆依凯科技有限公司 |
主分类号: | G05D23/30 | 分类号: | G05D23/30 |
代理公司: | 重庆蕴博君晟知识产权代理事务所(普通合伙)50223 | 代理人: | 王玉芝,杨明 |
地址: | 400800 重庆市万盛区万*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 可调 稳压 整流 技术设计 温度 下限 控制电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及温度控制等领域,具体的说,是基于可调稳压整流技术设计的温度上下限控制电路。
背景技术
温度(temperature)是表示物体冷热程度的物理量,微观上来讲是物体分子热运动的剧烈程度。温度只能通过物体随温度变化的某些特性来间接测量,而用来量度物体温度数值的标尺叫温标。它规定了温度的读数起点(零点)和测量温度的基本单位。国际单位为热力学温标(K)。目前国际上用得较多的其他温标有华氏温标(°F)、摄氏温标(℃)和国际实用温标。从分子运动论观点看,温度是物体分子运动平均动能的标志。温度是大量分子热运动的集体表现,含有统计意义。对于个别分子来说,温度是没有意义的。根据某个可观察现象(如水银柱的膨胀),按照几种任意标度之一所测得的冷热程度。
根据某个可观察现象(如水银柱的膨胀),按照几种任意标度之一所测得的冷热程度。温度是物体内分子间平动动能的一种表现形式。分子运动愈快,即温度愈高,物体愈热;分子运动愈慢,即温度愈低,物体愈冷。从分子运动论观点看,温度是物体分子运动平均平动动能的标志,温度是分子热运动的集体表现,含有统计意义。
温度高到一定程度便使空气中的氧气物质燃烧化为火焰传递热,可导致物质融化融解,高到极致便毁灭物质(质量)能量一切;温度低到一定程度便可以与水或空气或身体(血液)中的水分凝固成冰传递冷,冰冻可导致物质碎裂,冷到极致可碎裂物质质量能量一切甚至危及生命,并可以改变物体的移动(运动)速度。
对于真空而言,温度就表现为环境温度,是物体在该真空环境下,物体内分子间平均动能的一种表现形式。物体在不同热源辐射下的不同真空里,物体的温度是不同的,这一现象为真空环境温度。比如,物体在离太阳较近的太空中,温度较高;物体在离太阳较远的太空中,反之,温度较低。这是太阳辐射对太空环境温度的影响。
温度控制temperature control以温度作为被控变量的开环或闭环控制系统。其控制方法诸如温度闭环控制,具有流量前馈的温度闭环控制,温度为主参数、流量为副参数的串级控制等。在分布参数系统中,温度控制是以控制温度场中温度分布为目标的。
温度控制系统,以温度作为被控制量的反馈控制系统。在化工、石油、冶金等生产过程的物理过程和化学反应中,温度往往是一个很重要的量,需要准确地加以控制。除了这些部门之外,温度控制系统还广泛应用于其他领域,是用途很广的一类工业控制系统。温度控制系统常用来保持温度恒定或者使温度按照某种规定的程序变化。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供基于可调稳压整流技术设计的温度上下限控制电路,能够在热负载的温度调节应用中,对其上下限温度进行安全可靠的调节,并采用可调稳压电路而设计的供电电路,能够为温度调节电路及作动电路提供可变的工作电压,使得整个电路结构在宽泛的工作电压期间内稳定安全的运行。
本实用新型通过下述技术方案实现:基于可调稳压整流技术设计的温度上下限控制电路,设置有供电电路、温度调节电路及作动电路,所述供电电路分别与温度调节电路和作动电路相连接,在作动电路内设置有下限调节指示电路、作动核心电路及上限调节指示电路;所述作动核心电路分别与下限调节指示电路和上限调节指示电路相连接;在所述供电电路内设置有相互连接的整流变压电路、稳压滤波电路,所述稳压滤波电路内设置有稳压芯片IC3、稳压管VS、L型LC电源滤波器、电阻R9及电阻R8,电阻R9与电阻R8相互串联,且电阻R9和电阻R8的共接端与稳压芯片IC3的4脚相连接,所述稳压管VS连接在稳压芯片IC3的2脚和3脚之间,且L型LC电源滤波器的输入端亦连接在稳压芯片IC3的2脚和3脚之间,串联后的电阻R8和电阻R9并联L型LC电源滤波器的输出端;所述稳压芯片IC3的1脚和3脚与整流变压电路的输出端相连接,所述L型LC电源滤波器的输出端分别与温度调节电路及作动电路相连接。
进一步的为更好地实现本实用新型,能够实现及时的进行温度调节作动,特别采用下述设置结构:在所述作动电路内设置有电阻R5、电阻R6、晶体管VT3、二极管D3、电阻R7、电容C2及双向可控硅VC1,所述晶体管VT3的基极通过电阻R5与温度调节电路相连接,晶体管VT3的发射极通过电阻R6与L型LC电源滤波器的输出端相连接,晶体管VT3的集电极通过二极管D3与双向可控硅VC1的G极相连接;双向可控硅VC1的T1极分别与电容C2的第二端和L型LC电源滤波器的输出端相连接,电容C2的第一端通过电阻R7连接双向可控硅VC1的T2极。
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