[实用新型]基于可调稳压整流技术设计的温度上下限控制电路

权利要求书

1.基于可调稳压整流技术设计的温度上下限控制电路，其特征在于：设置有供电电路、温度调节电路及作动电路，所述供电电路分别与温度调节电路和作动电路相连接，在作动电路内设置有下限调节指示电路、作动核心电路及上限调节指示电路；所述作动核心电路分别与下限调节指示电路和上限调节指示电路相连接；在所述供电电路内设置有相互连接的整流变压电路、稳压滤波电路，所述稳压滤波电路内设置有稳压芯片IC3、稳压管VS、L型LC电源滤波器、电阻R9及电阻R8，电阻R9与电阻R8相互串联，且电阻R9和电阻R8的共接端与稳压芯片IC3的4脚相连接，所述稳压管VS连接在稳压芯片IC3的2脚和3脚之间，且L型LC电源滤波器的输入端亦连接在稳压芯片IC3的2脚和3脚之间，串联后的电阻R8和电阻R9并联L型LC电源滤波器的输出端；所述稳压芯片IC3的1脚和3脚与整流变压电路的输出端相连接，所述L型LC电源滤波器的输出端分别与温度调节电路及作动电路相连接。

2.根据权利要求1所述的基于可调稳压整流技术设计的温度上下限控制电路，其特征在于：在所述作动电路内设置有电阻R5、电阻R6、晶体管VT3、二极管D3、电阻R7、电容C2及双向可控硅VC1，所述晶体管VT3的基极通过电阻R5与温度调节电路相连接，晶体管VT3的发射极通过电阻R6与L型LC电源滤波器的输出端相连接，晶体管VT3的集电极通过二极管D3与双向可控硅VC1的G极相连接；双向可控硅VC1的T1极分别与电容C2的第二端和L型LC电源滤波器的输出端相连接，电容C2的第一端通过电阻R7连接双向可控硅VC1的T2极。

3.根据权利要求2所述的基于可调稳压整流技术设计的温度上下限控制电路，其特征在于：在所述作动核心电路内设置有处理器芯片IC1、电阻R2、电阻R3、下限调节电位器RP1、上限调节电位器RP2、晶体管VT1及晶体管VT2，所述处理器芯片IC1的2脚与下限调节电位器RP1的第二固定端相连接，下限调节电位器RP1的第一固定端分别与L型LC电源滤波器的输出端、处理器芯片IC1的8脚、上限调节电位器RP2的第一固定端及电阻R6相连接，上限调节电位器RP2的第二固定端连接处理器芯片IC1的3脚；处理器芯片IC1的7脚通过电阻R2与晶体管VT1的基极相连接，晶体管VT1的集电极通过上限调节指示电路与L型LC电源滤波器的输出端相连接；所述处理器芯片IC1的4脚分别与晶体管VT1的发射极、晶体管VT2的发射极及L型LC电源滤波器的输出端相连接，所述处理器芯片IC1的6脚通过电阻R3与晶体管VT2的基极相连接，晶体管VT2的集电极通过上限调节指示电路与L型LC电源滤波器的输出端相连接，所述处理器芯片IC1的5脚与连接电阻R5。

4.根据权利要求3所述的基于可调稳压整流技术设计的温度上下限控制电路，其特征在于：在所述下限调节指示电路内设置有相互连接的电阻R1和发光二极管D1，且发光二极管D1的正极与下限调节电位器RP1的第一固定端相连接；在所述上限调节指示电路内设置有相互连接的电阻R4和发光二极管D2，且发光二极管D2的正极与上限调节电位器RP2的第一固定端相连接。

5.根据权利要求4所述的基于可调稳压整流技术设计的温度上下限控制电路，其特征在于：所述L型LC电源滤波器包括电感L1及电容C3，且电感L1的第一端连接稳压芯片IC3的2脚，电感L1的第二端分别连接电容C3的第一端和处理器芯片IC1的8脚；电容C3的第二端分别与稳压芯片IC3的3脚和处理器芯片IC1的4脚相连接。

6.根据权利要求4所述的基于可调稳压整流技术设计的温度上下限控制电路，其特征在于：在所述整流变压电路内设置有变压器T1、桥式整流堆IC2及滤波电容C1，所述变压器T1的次级端连接桥式整流堆IC2的输入端，桥式整流堆IC2的输出端连接电容器C1的两端，且电容C1作为供电电路的输出端连接在稳压芯片IC3的1脚和3脚之间。

7.根据权利要求6所述的基于可调稳压整流技术设计的温度上下限控制电路，其特征在于：所述电容C1采用电解电容，且电容C1的正极与稳压芯片IC3的1脚相连接。

8.根据权利要求6所述的基于可调稳压整流技术设计的温度上下限控制电路，其特征在于：还包括连接在变压器T1的初级端的一端与双向可控硅VC1的T2极之间的负载RL。