[实用新型]LED倒装基板的结构

说明书

技术领域

本实用新型属于LED封装技术领域，具体涉及一种LED倒装基板的结构。

背景技术

自上世纪90年代以来，GaN基LED引起广泛关注并取得了迅猛的发展。GaN基LED具有波长可调、轻便灵活、能耗低、工作电压低、定向发光、无污染、寿命长、响应时间快等显著优势，波长覆盖绿光、蓝光、紫光、紫外领域，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明、城市夜景、可见光通信、聚合物固化、杀菌消毒等领域。

GaN基LED的器件结构基本有三种：传统正装结构、倒装结构和垂直结构。其中，LED倒装芯片技术具有低热阻、高的光提取效率、高效封装和可集成防静电装置等优点，特别适用于中高功率的LED芯片，将是未来几年发展的主流。倒装技术通过植球焊或共晶焊将LED芯片倒装在具有更高导热率的衬底上，使得LED的热量能够快速从芯片中导出，改善LED芯片的散热能力，提高LED的可靠性和寿命。在发光性能方面，采用倒装结构，可以避开p型电极挡光的问题，通过电极设计能使电流分布更均匀，降低器件电压。此外，倒装芯片可做成免金线封装，从而避免金线损伤带来的死灯问题，大大提高器件的可靠性。

模拟显示，大部分从LED有源区辐射出的光都被限制为波导模式，约66％的光被限制在GaN外延层中，最终以与水平方向较小的夹角从外延层的端面以出射。传统的LED倒装基板一般是平面结构，并通常结合使用带反射杯的支架来做封装，但反射杯与芯片的距离较远。因此从LED外延层的端面出射的光很容易被基板上的电极、封装材料和支架等部件吸收，不利于出光效率的最大化。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种LED倒装基板的结构，有助于改善LED出光效率和散热性能。

本实用新型所采用的技术方案为：

本实用新型提供一种LED倒装基板的结构，其特征在于，包括：

一基板，该基板向下有一凹槽；

一绝缘层，其制作在基板上，该绝缘层并覆盖凹槽的表面；

一反射金属层，其制作在绝缘层的表面，该反射金属层的中间有一道隔离槽，该隔离槽将反射金属层分成两部分；

两块金属电极，其制作在凹槽的底部，相对位于隔离槽的两侧。

其中所述凹槽剖面的形状为梯形或弧形。

其中隔离槽的深度到达基板或绝缘层的表面。

其中基板的材料为硅、PCB或氮化铝陶瓷。

其中绝缘层的材料为二氧化硅、氮化硅或氧化铝。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于，在LED倒装基板上设置凹槽，并在凹槽表面放置具有高反射率的金属层，可近距离地改变LED倒装芯片从端面出射的光的传播方向，使其向上出射，减少了端面出射光的吸收与损耗，提高了LED的出光效率；同时基板厚度变薄，也降低了系统的串联热阻。

附图说明

为进一步说明本实用新型的技术内容，以下结合实施例及附图详细说明如后，其中：

图1为本实用新型的LED倒装基板的剖面图；

图2为本实用新型的LED倒装基板的俯视图；

图3为倒装后的LED倒装芯片和LED倒装基板的剖面图。

具体实施方式

请参阅图1-图2所示，本实用新型提供一种LED倒装基板的结构，其特征在于，包括：

一基板11，该基板11向下有一凹槽11’，所述凹槽11’剖面的形状为梯形或弧形，所述凹槽11’俯视的形状可为方形、圆形或其他图形；所述基板11的材料为硅、PCB或氮化铝陶瓷，可以直接成型或经由刻蚀制成；LED倒装芯片A会放置在所述凹槽11’内，因此所述凹槽11’的底部尺寸应大于LED倒装芯片A的尺寸；所述凹槽11’的深度应不低于金属电极14、LED倒装芯片A的各外延层和LED倒装芯片A的电极的厚度的总和；

一绝缘层12，其制作在基板11上，该绝缘层12并覆盖凹槽11’的表面，所述绝缘层12的材料为二氧化硅、氮化硅或氧化铝；若所述基板11本身是绝缘的，那么绝缘层12可以省略；

一反射金属层13，其制作在绝缘层12的表面，该反射金属层13的中间有一道隔离槽13’，该隔离槽13’将反射金属层13分成两部分，该隔离槽13’的深度可以到达基板11；如果应用场合对漏电流有较高要求，该隔离槽13’的深度也可以到达绝缘层12的表面，即所述绝缘层的中间也形成隔离槽结构；所述反射金属层13的材料为Al基、Ag基或Au基金属，对所述LED倒装芯片A发出的光的反射率不应低于80％；