[实用新型]一种板式PECVD在线自动调整SPC的装置有效
申请号: | 201621186992.2 | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN206134710U | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 袁中存;党继东 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 板式 pecvd 在线 自动 调整 spc 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造领域,尤其涉及一种板式PECVD在线自动调整SPC的装置。
背景技术
常规的化石燃料日益消耗殆尽,在现有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池,可以将太阳能直接转换成电能,其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。太阳能发电装置的核心是电池片,目前绝大多数都采用硅片制成。
在光伏电池生产过程中,需要在光伏电池的半成品电池即硅片的表面镀上一层减反射膜。目前,采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD,Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition),使气体在硅电池片表面发生化学反应并形成覆盖层,即减反射膜。此减反射膜能够降低反射率,具有良好的体钝化和表面钝化作用,还能利用氮化硅薄膜的强致密性和耐多数酸碱性,在硅片表面形成保护层。而其中氮化硅薄膜的膜厚和折射率高低是影响电池片最终效率的关键因子,因此,如何更好的控制膜厚和折射率的稳定性,是PECVD工段非常重要的工作。
现阶段板式PECVD机台上,无在线监控氮化硅薄膜SPC(即膜厚和折射率参数)的装置,依靠人工手动从石墨框内取出硅片,利用离线式椭偏仪测试SPC,测试完成后再由人工手动输入SPC控制表格中,如有SPC超出范围,还需要人工到机台上修改参数。这种方法不仅浪费人力,而且监控异常也比较滞后,使膜厚和折射率的SPC波动较大,不利于效率的稳定。
因此,设计一种板式PECVD在线自动调整SPC的装置,能够在线实时监控并修正SPC,节省人力,节约生产成本,减少了SPC的波动,提升效率的稳定性,显然具有积极的现实意义。
发明内容
本实用新型的发明目的是提供一种板式PECVD在线自动调整SPC的装置。
为达到上述发明目的,本实用新型采用的技术方案是:一种板式PECVD在线自动调整SPC的装置,其包括设置在PECVD生产线的下料区至上料区回路上的支架、设置在所述支架上用于测试氮化硅薄膜膜厚和折射率的测试机构,以及控制终端,所述测试机构的信息输出端连接到控制终端的信息输入端,所述控制终端的控制信息输出端连接到PECVD生产线机台的驱动机构的控制信息输入端。
上文中,在所述PECVD生产线机台里,石墨框是通过驱动导轨带动上传输轮和下传输轮进行传输的,整个传输过程是一个循环的过程,石墨框里硅片的上下料均在上料位置进行。
上述技术方案中,所述PECVD生产线的上料区至下料区之间设有上传输轮,装载有硅片的石墨框自上料区起由所述上传输轮带动依次经过进料腔、预热腔、工艺腔、冷却腔和出料腔后传输至下料区。
上述技术方案中,所述PECVD生产线的下料区至上料区回路上设有复数个下传输轮。
优选地,所述控制终端包括电脑主机和显示器,所述测试机构与电脑主机经数据传输线连接。
进一步地,还包括移动端,所述测试机构的信息输出端上连接有无线通信模块,所述测试机构经无线通信模块与移动端连接。
进一步地,所述控制终端的控制信号输出端还连接有报警模块。
优选地,所述报警模块为报警指示灯或蜂鸣器。
本实用新型的工作原理为:装载有未镀膜硅片的石墨框自上料区起由所述上传输轮带动依次经过进料腔、预热腔、工艺腔、冷却腔和出料腔后传输至下料区,再由下传输轮将装载有镀膜后的硅片的石墨框回传到上料区,设置在下料区至上料区回路上的测试机构测得氮化硅薄膜的膜厚和折射率的参数,并将该参数发送到控制终端,与控制终端数据库内的预设参数进行对比,如有参数超出预设参数的范围,则控制终端会自动根据事先设定好的参数调整方法,自动调整PECVD生产线机台的传输速度或特气流量,将氮化硅薄膜的膜厚和折射率调整到预设参数范围内,达到在线自动监控和自动调整氮化硅薄膜膜厚和折射率的目的,此外,控制终端中还可以定期生产膜厚和折射率参数报表,供工艺人员分析用。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的