[实用新型]射频天线电路及其引脚静电保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及射频天线的电路领域，尤其是涉及具有引脚静电保护功能的电路以及具有这种电路的射频天线电路。

背景技术

现有很多电子设备具有无线通讯功能，例如，智能手机、平板电脑等设有无线通信模块，如蓝牙模块或者射频模块等，如果电子设备设置有射频模块，则还需要设置用于发射或者接收射频信号的天线，通常，天线是印刷在印刷电路板上，并且天线与电路板上的其他器件连接，如与控制器连接，将接收到的信号传送至控制器，或者接收控制器发出的信号，并且将控制器的信号经过调制后发射出去。

用于电子设备工作时往往会产生静电，这些静电的电压有时候非常高，过高的静电电压会对电子设备的电子器件造成严重的影响。如果天线的引脚上产生大量的静电，将严重影响天线对信号的发射与接收，从而影响电子设备与其他设备的无线通信质量，因此人们在研究如何对天线引脚进行静电保护，从而避免天线受到静电的影响而导致无法收发信号的情况。

如图1所示，现有一种射频天线静电保护电路连接至射频天线的引脚RFIN，由于射频天线的引脚RFIN上可能产生静电，将影响到射频天线的工作，因此，需要提供从射频天线的引脚RFIN到天线电源以及天线地之间的泄流通道，以确保静电的电荷能够释放。现有的静电保护电路具有一个低噪声放大器LNA1，在天线引脚RFIN与低噪声放大器LNA1的输入端LNAIN之间设有电容C1，并且在天线引脚RFIN与天线地RFGND之间设有二极管D1，二极管D1的阳极连接至天线地FRGND，阴极连接至天线引脚RFIN。在天线引脚RFIN与天线电源RFVDD之间连接有二极管D2，二极管D2的阳极连接至天线引脚RFIN，阴极连接至天线电源RFVDD。并且，在天线电源RFVDD与天线地RFGND之间连接有电容C2。

当天线引脚RFIN上形成有静电电荷时，静电电荷可以经二极管D1向天线地RFGND释放，也可以经二极管D2向天线电源RFVDD释放。由于静电电荷被及时释放，因此不应影响射频天线的工作。然而，这种静电保护电路存在较大的寄生电容，对射频天线的工作有一定影响，并不是最理想的静电保护电路。

图2所示是另一种常见的静电保护电路，该电路包括低噪声放大器LNA2，在天线引脚RFIN与低噪声放大器LNA2的输入端LNAIN之间连接有电容C11，天线引脚RFIN与天线地RFGND之间连接有场效应管D11，并且在天线电源RFVDD与天线地RFGND之间连接有电容C12。在天线引脚RFIN上形成静电后，静电电荷经过场效应管D11向天线接地RFGND放电。

但是，这种静电保护电路设置的场效应管D11存在漏电的风险，并且一旦场效应管D11漏电，将形成较大的噪声，且影响静电电荷的释放，也会导致电子设备工作时噪声过大，而且会影响到电子设备的工作稳定性。

发明内容

本实用新型的主要目的是提供一种能够有效释放静电电荷并且工作噪声较低的射频天线引脚静电保护电路。

本实用新型的另一目的是提供一种能够避免因静电电荷影响工作的射频天线电路。

为了实现上述的主要目的，本实用新型提供的射频天线引脚静电保护电路包括连接在射频天线引脚与低噪音放大器之间的耦合电容，低噪声放大器的输入端与天线地之间连接有第一二极管，低噪声放大器的输入端与天线电源之间连接有第二二极管；其中，射频天线引脚与天线地之间连接有第三二极管，第三二极管的阳极连接至天线地，第三二极管的阴极连接至射频天线引脚，且耦合电容连接在第三二极管的阴极与低噪声放大器的输入端之间。

由上述方案可见，由于在射频天线引脚与天线地之间连接有第三二极管，在天线引脚向天线地的释放静电电荷时，第三二极管为静电电荷的释放提供通道。由于耦合电容能够对天线引脚向低噪声放大器输入端之间的总电荷有衰减作用，并且能够在释放静电电荷时，阻隔从天线引脚到低噪声放大器的场效应管的栅极的直流路径，防止在静电电荷释放后残余的电荷对场效应管的损坏。这样，在静电电荷释放过程中，由于第三二极管的存在，不但能够避免静电保护电路产生较大的寄生电容，还能够避免使用可能会漏电的场效应管，也就避免产生较大的噪声，确保射频天线的正常工作。

一个优选的方案是，在天线电源与天线地之间连接有片上电容，并且，片上电容的电容值大于耦合电容的电容值，且片上电容的电容值为耦合电容的电容值的三倍以上。