[实用新型]一种高均匀性的红光LED外延结构有效
| 申请号： | 201621095913.7 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN206148463U | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 张雨;田菲菲;王朝旺;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/30 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 均匀 红光 led 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高均匀性的红光LED外延结构，其特征在于，包括由下而上依次设置的GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaAs缓冲层、AlGaAs/AlAs DBR、AlInP N限制层、AlGaInP N波导层、MQW量子阱有源层、AlGaInP P波导层、AlInP P限制层、GaP窗口层。
2.根据权利要求1所述的一种高均匀性的红光LED外延结构，其特征在于，所述AlGaAs缓冲层的厚度为0.1-0.8μm。
3.根据权利要求1所述的一种高均匀性的红光LED外延结构，其特征在于，所述AlGaAs缓冲层的厚度为0.2-0.8μm。
4.根据权利要求1所述的一种高均匀性的红光LED外延结构，其特征在于，所述AlGaAs缓冲层的厚度为0.5μm。
5.根据权利要求1所述的一种高均匀性的红光LED外延结构，其特征在于，所述GaAs衬底厚度为250-375μm；所述GaAs缓冲层的厚度为0.2-0.5μm；所述AlInP N限制层的厚度为0.5-1μm；所述AlGaInP N波导层的厚度为0.15-0.5μm；所述MQW量子阱有源层的厚度为0.05-0.5μm；所述AlGaInP P波导层的厚度为0.15-0.5μm；所述AlInP P限制层的厚度为0.5-1μm；所述GaP窗口层的厚度为3-10μm。
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